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LASER SCRIBING TRENCH OPENING CONTROL IN WAFER DICING USING HYBRID LASER SCRIBING AND PLASMA ETCH APPROACH

机译:使用混合激光划线和等离子体蚀刻方法在晶片切割中激光划线沟槽打开控制

摘要

An embodiment disclosed herein includes a method of dicing a wafer comprising a plurality of integrated circuits. In an embodiment, the method comprises forming a mask above the semiconductor wafer, and patterning the mask and the semiconductor wafer with a first laser process. The method may further comprise patterning the mask and the semiconductor wafer with a second laser process, where the second laser process is different than the first laser process. In an embodiment, the method may further comprise etching the semiconductor wafer with a plasma etching process to singulate the integrated circuits.
机译:本文公开的实施例包括切割包括多个集成电路的晶片的方法。 在一个实施例中,该方法包括在半导体晶片上方形成掩模,并用第一激光过程进行图案化掩模和半导体晶片。 该方法还可以包括用第二激光过程进行图案化掩模和半导体晶片,其中第二激光过程与第一激光过程不同。 在一个实施例中,该方法还可以包括用等离子体蚀刻工艺蚀刻半导体晶片以单一地完成集成电路。

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