一种用于硅衬底集成mHEMT器件的外延层结构及其生长方法

摘要

本发明公开了一种用于硅衬底集成mHEMT器件的外延层结构及其生长方法，属于高性能半导体集成的技术领域。外延层结构，包括：P型硅衬底，以及，在P型硅衬底层上依次生长形成的：GaAs成核层、第六缓冲层、第五缓冲层、InGaAs应力释放层、第四缓存层、第三缓冲层、第二缓存层、第一缓冲层、InGaAs沟道层、InAlAs隔离层、硅delta掺杂层、InAlAs势垒层、重掺杂了硅的InGaAs帽层，第一缓冲层为高温InAlAs缓冲层，第二缓冲层为低温变组分InAlAs缓存层，第五缓冲层、第三缓冲层均为高温InP缓冲层，第六缓冲层、第四缓冲层均为低温InP缓冲层。利用本发明的外延层结构成功外延了二维电子气浓度高且沟道电子迁移率大的mHEMT器件。