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晓晔;
无;
多层器件; 硫基; 外延层生长;
机译:AlInN / GaN / AlInN / GaN多层缓冲层上高质量GaN外延层的生长及其器件特性
机译:金属(II)-乙二硫酰胺-肼基甲硫基酰胺-乙二胺四元体系自组装产生的3d元素异构不对称(555)大三环螯合物的结构的量子化学模拟
机译:用于中红外应用的三元和四元Ge-S-Se-Sb-Te非晶硫族化物薄膜
机译:在4H-碳化硅PVT生长的块状晶体,CVD生长的外延层和器件中的缺陷研究。
机译:{((N-丁基-N-甲基氨基甲硫基硫基)硫烷基乙酸基-κO}三(2-氯苯甲酰基)锡(IV)
机译:由具有外延生长层的CST方法和MESFET器件的CST方法和电学性质的P型4H-SiC(0001)的外延层生长
机译:Hg(1-x)mn(x)Te和Hg(1-x-y)Cd(y)mn(x)Te外延层的生长,物理性质和器件特性。
机译:含有2-(硫氰基甲硫基)苯并噻唑和2,4,6-三溴苯酚的组合物及其用于抑制微生物生长的方法和用于抑制微生物生长的方法
机译:用于抑制微生物生长的包含2-(硫氰基甲硫基)苯并噻唑和2,4,6-三溴苯酚的组合物以及由此抑制微生物生长的方法
机译:2-(硫氰基甲硫基)-苯并噻唑和六氢-1,3,5-三(2-羟乙基)-s-三嗪的协同组合用于控制水性液体中的真菌和细菌生长
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