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MBE生长的MHEMT器件的基本研究

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本文报告了一种MHEMT器件的基本研究结果,是在北京物理所研制的MHEMT材料上,在2英寸GaAs工艺线上根据InP HEMT工艺制造成功的.初步的结果对比超过了在相同条件下的MESFET,HEMT器件的结果,表现出了MHEMT器件性能方面的优势.

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来源
《第六届全国分子束外延学术会议》|2001年|90-91|共2页
会议地点贵阳
作者
吴旭; 陈效建; 李佛晓; 杨立杰;
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作者单位

中国电子学会;

中国有色金属学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类场效应器件;
关键词
分子束外延生长; 场效应器件; 器件结构; 制作工艺; 微波特性;

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