高温工作InAlSb的MBE生长及器件性能研究

摘要

接近室温的更高工作温度是第三代红外探测器发展的重要方向.本文论述了用MBE在InSb(100)衬底上外延生长制备P-i-N型三元In1-xAlxSb薄膜合金材料,并通过制备单元器件进行了验证.采用RHEED振荡和X射线双晶衍射对In1-xAlxSb薄膜的Al组分进行了调控和检测.5.3 μm厚薄膜的FWHM≈50 arcsec,Al组分约1.9％.10μm×10 μm原子力表面粗糙度RMS≈0.6 nm.制备的单元器件获得了预期的理想效果,为下一步面阵焦平面的制备奠定了基础.