退火对MBE生长GaAs0.91Sb0.09晶体质量和发光特性影响研究

摘要

为了研究慢速热退火处理对分子束外延生长（MBE）的GaAs0.91Sb0.09材料晶体质量和发光特性的影响,分别利用XRD及变温光致发光谱对晶体质量及发光特性进行了表征分析。对40K时GaAs0.91Sb0.09合金光致发光谱进行分峰拟合,获得3种样品的局域能深度分别为26、31和35 meV。结果表明：退火处理使合金中As、Sb组分互扩散,合金局域能加深,但退火使GaAs0.91Sb0.09局域态发光比例降低,带边发光的比例提高。