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International symposium on compound semiconductors
International symposium on compound semiconductors
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1.
Relization of Strongly metal-dependent schottky barrier heights on n-GaAs by in situ electrochemical process
机译:
通过原位电化学工艺实现AN-GaAs强金属依赖肖特基势率
作者:
Chinami Kaneshiro
;
Taketomo Sato
;
Hideki Hasegawa
;
Institute of Physics Publishing
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1999年
2.
Gallium doped ZnO for thin film solar cells
机译:
镓掺杂ZnO用于薄膜太阳能电池
作者:
A.Jager-Waldau
;
H.-J.Muffler
;
R.Klenk
;
M.Kirsch
;
C.Kelch
;
M.Ch.Lux-Steiner
;
Institute of Physics Publishing
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1999年
3.
temperature dependence of threshold current and quantum efficiency of self-formed GaAs island laser on a Si substrate
机译:
Si衬底上自成的GaAs岛激光器阈值电流和量子效率的温度依赖性
作者:
Z I Kazi
;
T Egawa
;
T Jimbo
;
M Umeno
;
Institute of Physics Publishing
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1999年
4.
Elimination of kink effects in InAlAs/InGaAs InP-based HEMT's by means of InP etch stop layer
机译:
通过INP蚀刻停止层消除inalas / Ingaas Inp的HEMT中的扭结效应
作者:
Gaudenzio Meneghesso
;
Enrico Perin
;
Claudio Canali
;
Enrico Zanoni
;
Institute of Physics Publishing
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1999年
5.
Monte carlo simulation of one- and two-dimensional electron gases
机译:
蒙特卡罗仿真一维和二维电子气体
作者:
K.Yamasaki
;
T.Ezaki
;
N.Mori
;
C.Hamaguchi
;
Institute of Physics Publishing
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1999年
6.
Spectral reponse of cyclotron resonance quantum Hall effect detector
机译:
回旋谐振量子霍尔效应检测器的光谱响应
作者:
A V Antonov
;
I V Erofeeva
;
V I Gavrilenko
;
N G Kalugin
;
A L Korotkov
;
A V Maslovskii
;
M D Moldavskaya
;
S I Pripolzin
;
V L Vaks
;
Y Kawano
;
S Komiyama
;
Institute of Physics Publishing
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1999年
7.
Spin relaxation of one-dimensional excitons in GaAs rectangular quantum wires
机译:
在GaAs矩形量子线中旋转一维激子的放松
作者:
T.Sogawa
;
H.Ando
;
S.Ando
;
H.Kanbe
;
Institute of Physics Publishing
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1999年
8.
Ohmic contact materials for p-ZnSe and p-GaN
机译:
适用于P-ZNSE和P-GAN的欧姆接触材料
作者:
Yasuo Koide
;
T.Kawakami
;
Masanori Murakami
;
Institute of Physics Publishing
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1999年
9.
A novel PMMA-swelling technique to fabricate deep sub-micron T-shaped gate MODFETs
机译:
一种新型PMMA溶胀技术,用于制造深层微米T形栅极模块
作者:
Y Anda
;
T Matsuno
;
M Tanabe
;
T Uda
;
M Nishitsuji
;
K Inoue
;
T Tanaka
;
D Ueda
;
N Hirose
;
T Matsui
;
Institute of Physics Publishing
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1999年
10.
Study of selective MBE growth on patterned (001) InP substrates toward realization of <100>-oriented InGaAs ridge quantum wires
机译:
关于图案化(001)InP基板的选择性MBE生长朝向实现<100的InGaAs脊量子线的实现
作者:
Nobuki Ono
;
Hajime Fujikura
;
Hideki Hasegawa
;
Institute of Physics Publishing
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1999年
11.
Passivated 0.15 #um#m InAlAs/InGaAs HEMTs with 500 GHz f_max: HF performance,Thermal Stability and Reliability
机译:
钝化0.15 #MUM#M Inalas / Ingaas HEMTS,具有500 GHz F_MAX:HF性能,热稳定性和可靠性
作者:
M.Chertouk
;
M.Dammann
;
M.Massler
;
K.Kohler
;
G.Weimann
;
Institute of Physics Publishing
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1999年
12.
Mg doping in the MOVPE of AlInP in nitrogen or hydrogen ambient using Cp_2Mg
机译:
使用CP_2MG掺杂在氮气或氢气环境中的alinP的Movpe中
作者:
H.Hardatdegen
;
T.Hauck
;
D.Gauer
;
K.Wirtz
;
H.Holzbrecher
;
U.Breuer
;
D.Schmitz
;
M.Heuken
;
Institute of Physics Publishing
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1999年
13.
Growth and Optical Properties of ZnS_1-xTe_x epilayers by hot-wall epitaxy
机译:
热墙外延ZnS_1-XTE_X外延的生长和光学特性
作者:
S.Nam
;
Y.-M.Yu
;
C.-K.Lee
;
Byungsung O
;
K.-S.Lee
;
Y.D.Choi
;
H.J.Yun
;
Y.-J.jung
;
C.S.Kim
;
Institute of Physics Publishing
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1999年
14.
26.9
机译:
26.9
作者:
Tatsuya Takamoto
;
Masafumi Yamaguchi
;
Aurangzeb Khan
;
Eiji Ikeda
;
Hiroshi Kurita
;
Institute of Physics Publishing
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1999年
15.
High DC current gain InGaP/GaAs HBT
机译:
高直流电流增益Ingap / GaAs HBT
作者:
N.Pan
;
R.E.Welser
;
C.R.Lutz
;
J.Elliot
;
D.P.Vu
;
T.S.Low
;
T.Shirley
;
C.Hutchinson
;
G.Essilfie
;
W.Whiteley
;
B.Yeats
;
D.DAvanzo
;
Institute of Physics Publishing
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1999年
16.
GaInP/GaAs DHBTs for power amplifiers in wireless applications
机译:
无线应用中功率放大器的GAINP / GAAS DHBTS
作者:
P.M.Asbeck
;
P.F.Chen
;
G.Hanington
;
Y.M.Hsin
;
Institute of Physics Publishing
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1999年
17.
Photoassisted anodic etching of n-GaN films in NaOH electrolyte approx dependence of carrier concentration of GaN film
机译:
NaOH电解质中N-GaN薄膜的PhotoAccasted anodic蚀刻大约依赖GaN膜的载体浓度
作者:
M.Ohkubo
;
T.Imai
;
Institute of Physics Publishing
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1999年
18.
Enhancement of nitrogen incorporation in GaInNAs grown by MOVPE using tertiarybutylarsine and dimethylhydrazine
机译:
使用叔丁烷和二甲基肼增强MOVPE生长的Gainnas的氮掺入
作者:
A.Moto
;
S.Tanada
;
T.Tanabe
;
M.Tadahashi
;
S.Tadagishi
;
Institute of Physics Publishing
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1999年
19.
Nucleation issue in the nanoscale selective area growth of II-VI semiconductors
机译:
II-VI半导体纳米级选择性面积生长中的成核问题
作者:
A.Avramescu
;
A.Ueta
;
K.Uesugi
;
I.Suemune
;
Institute of Physics Publishing
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1999年
20.
Radiative lifetimes of spatially indirect excitons in type-II GaSb/GaAs self-assembled quantum dots
机译:
II型气体/ GaAs自组装量子点中的空间间接激子的辐射寿命
作者:
K.Suzuki
;
M.S.Minsky
;
S.B.Fleischer
;
R.A.Hogg
;
S.Kako
;
E.L.Hu
;
J.E.Bowers
;
Y.Aradawa
;
Institute of Physics Publishing
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1999年
21.
Single-voltage-supply operation of Ga_0.51In_0.49P/In_0.15Ga_0.85As doped-channel FET's for digital wireless communication
机译:
GA_0.51in_0.49p / IN_0.15GA_0.85AS的单电压 - 电源操作掺杂通道FET用于数字无线通信
作者:
Yao-Wen Hsu
;
Shey-Shi Lu
;
Chin-Chun Meng
;
Liang-Bo Chen
;
Institute of Physics Publishing
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1999年
22.
A novel hydrogen passivation method for GaAs on Si grown by MOCVD
机译:
MOCVD种植的GAAs新型氢钝化方法
作者:
G Wang
;
K Ohtsuka
;
T Soga
;
T Jimbo
;
M Umeno
;
Institute of Physics Publishing
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1999年
23.
Gating properties of AlN capped Al_0.14ga_0.86N/GaN heterojunctions
机译:
Aln封端的al_0.14ga_0.86n / GaN异质函数的门控性能
作者:
Peter Ramvall
;
Peter Hacke
;
Yoshinobu Aoyagi
;
Institute of Physics Publishing
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1999年
24.
Scanning tunneling microscopy observations of indium segregation phenomena on GaInAs layer grown by molecular beam epitaxy
机译:
扫描分子束外延生长的GAINAS层上铟分离现象的隧道显微镜观察
作者:
Shunsuke Ohkouch
;
Yoshimasa Sugimoto
;
Institute of Physics Publishing
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1999年
25.
Optical characterization of GaInNAs/GaAs quantum well structures
机译:
GAINNAS / GAAs量子井结构的光学表征
作者:
S.Tanaka
;
M.Takahashi
;
A.Moto
;
T.Tanabe
;
S.Takagishi
;
K.Karatani
;
T.Nakanishi
;
M.Nakayama
;
Institute of Physics Publishing
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1999年
26.
Growth and characterization of Si-doped cubic GaN
机译:
Si-掺杂立方GaN的生长和特征
作者:
hidenao Tanaka
;
Atsushi
;
Nakadaira
;
Institute of Physics Publishing
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1999年
27.
Uncooled long-wavelength infrared photodetectors using narrow bandgap semiconductors
机译:
使用窄带隙半导体的加工长波长红外光电探测器
作者:
M.Razeghi (invited)
;
J.Wojkowski
;
J.D.Kim
;
H.Mohseni
;
J.J.Lee
;
Institute of Physics Publishing
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1999年
28.
Extended defect reduction in GaN laterally overgrown on Si(111)
机译:
Si横向覆盖GaN的延长缺陷减少(111)
作者:
H Marchand
;
N Zhang
;
L.Zhao
;
Y Golan
;
P T Fini
;
J P Ibbetson
;
S. Keller
;
S P DenBaars
;
J S Speck
;
U K Mishra
;
Institute of Physics Publishing
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1999年
29.
Energy emission tunning of InAs/GaAs self-assembled quantum dots by growth interruption
机译:
通过生长中断,INAS / GAAS自组装量子点的能量排放调整
作者:
A.Patane
;
A.Polimeni
;
M.Henini
;
P.C.Main
;
M.Al-Khafaji
;
A.G.Cullis
;
Institute of Physics Publishing
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1999年
30.
A high gain and high yield 0.14 #um#m Au/WSi buried gate HJFET technology with directly dry-etched SiO_2 openings
机译:
高增益和高收益率0.14 #MUM#M AU / WSI用直接干蚀刻的SiO_2开口埋入栅极HJFET技术
作者:
A.Wakejima
;
Y.Makino
;
K.Yamanoguchi
;
K.Onda
;
Y.Hori
;
K.Maruhashi
;
H.Miyamoto
;
N.Samoto
;
M.Kanamori
;
K.Ohata
;
Institute of Physics Publishing
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1999年
31.
Carrier transfer in facet-growth GaAs quantum wells studied by solid immersion photoluminescence microscopy
机译:
通过固体浸没光致发光显微镜研究的小相 - 生长GaAs量子孔中的载体转移
作者:
M.Yoshita
;
T.Sasaki
;
M.Baba
;
S.Koshiba
;
H.Sakaki
;
H.Akiyama
;
Institute of Physics Publishing
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1999年
32.
Direct evidence for the type-II character of In_0.52Al_0.48As/AlAs_0.56Sb_0.44 multiple quantum well structures
机译:
IN_0.52AL_0.48AS / ALAS_0.56SB_0.44多量子阱结构的直接证据
作者:
J.ringling
;
L.Schrottke
;
H.T.Grahn
;
Y.Kawamura
;
K.Yoshimatsu
;
A.Kamada
;
N.Inoue
;
Institute of Physics Publishing
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1999年
33.
Effect of hydrogen on ECR-MBE growth process of GaN
机译:
氢对GaN的ECR-MBE生长过程的影响
作者:
Y.Chiba
;
T.Tominari
;
M.Nobata
;
Y.Nanishi
;
Institute of Physics Publishing
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1999年
34.
Reliability issues in compound semiconductor heterojunction devices
机译:
化合物半导体异质结装置的可靠性问题
作者:
F.Fantini
;
M.Borgarino
;
L.Cattani
;
P.Cova
;
R.Menozzi
;
G.Salviati
;
C.Canali
;
G.Meneghesso
;
E.Zanoni
;
Institute of Physics Publishing
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1999年
35.
Far infrared emission and population inversion of hot holes in MQW InGaAs/GaAs heterostructures excited at lateral transport
机译:
MQW IngaAs / Gaas异质结构在横向运输中兴奋的远红外排放和群体反演
作者:
V Ya Aleshkin
;
A.A.Andronov
;
A.V.Antonov
;
N.A.Bekin
;
A.V.Gavrilenko
;
V.I.Gavrilenko
;
D.G.Revin
;
E.A.Uskova
;
B.N.Zvonkov
;
N.B.Zvonkov
;
W.Knap
;
J.Lusakowski
;
C.Skierbiszewski
;
Institute of Physics Publishing
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1999年
36.
Near-infrared intersubband transitions in InGaAs/AlAsSb coupled double quantum wells grown by molecular beam epitaxy
机译:
通过分子束外延生长的InGaAs / Alassb耦合双量子孔的近红外运动井
作者:
Teruo Mozume
;
Heruhiko Yoshida
;
Arup Neogi
;
Nikolai Georgiev
;
Kiyoshi Asakawa
;
Makoto Kudo
;
Institute of Physics Publishing
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1999年
37.
Structural and transport characterization of AlGaAs/GaAs quantum wires formed by selective doping mechanism
机译:
选择性掺杂机构形成的AlGaAs / GaAs量子线的结构和运输表征
作者:
S.Takabayashi
;
Y.Kitasho
;
H.Kazama
;
K.Yoh
;
Institute of Physics Publishing
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1999年
38.
Growth and characterization of InAs/AlInSb type-II superlattices for mid-infrared applications
机译:
用于中红外应用的INAS / ALINSB II类超晶格的生长和表征
作者:
S.Sasa
;
Y.Tsujie
;
M.Yano
;
M.Inoue
;
Institute of Physics Publishing
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1999年
39.
Electrical properties of metal/n-GaN and PCVD-SiO_2/n-GaN interfaces
机译:
金属/ N-GaN和PCVD-SIO_2 / N-GAN接口的电气性质
作者:
T.Sawada
;
M.Sawada
;
Y.Yamagata
;
K.Imai
;
K.Suzuki
;
H.Tomozawa
;
Institute of Physics Publishing
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1999年
40.
MOCVD growth of nanometer-scale InGaN self-assembling quantum dots
机译:
纳米级IngaN自组装量子点的MOCVD生长
作者:
Koichi Tachibana
;
Takao Someya
;
Yasuhiko Arakawa
;
Institute of Physics Publishing
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1999年
41.
Capacitor deedback in double quantum dot plane
机译:
双量子点平面中的电容码头
作者:
Ph.Lelong
;
H.Sakaki
;
Institute of Physics Publishing
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1999年
42.
In-situ mesa etching and immediate regrowth in a hydride vapour phase epitaxy reactor
机译:
在氢化物气相外延反应器中蚀刻和立即再生的原位MESA蚀刻和立即再生
作者:
E.Rodrguez Messmer
;
T.Lindstrom
;
S.Lourdudoss
;
Institute of Physics Publishing
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1999年
43.
Photoluminescence from Mg-doped cubic GaN grown by MOVPE
机译:
由Movpe生长的Mg掺杂立方Ga的光致发光
作者:
Atsushi Nakadaira
;
Hidenao Tanaka
;
Institute of Physics Publishing
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1999年
44.
Fabrication and characteristics of very narrow waveguide semiconductor raman amplifiers and lasers
机译:
非常窄的波导半导体拉曼放大器和激光器的制造和特性
作者:
T.Saito
;
K.Suto
;
T.Kimura
;
Y.Oyama
;
A.Watanabe
;
J.Nishizawa
;
Institute of Physics Publishing
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1999年
45.
Temperature dependence of noise behavior in high speed FETs
机译:
噪声行为在高速FET中的温度依赖性
作者:
John A Fendrich
;
Milton Feng
;
Institute of Physics Publishing
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1999年
46.
Effect of defect density on the electrical characteristics of Ni/n-GaN contacts
机译:
缺陷密度对Ni / N-GaN触点电特性的影响
作者:
Kenji Shiojima
;
Jerry M.Woodall
;
Christopher J.Eiting
;
Paul A.Grudowski
;
Russell D.Dupuis
;
Institute of Physics Publishing
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1999年
47.
Photocapacitance investigation of stoichiometry -dependent deep levels in Sn-doped InP
机译:
SN掺杂INP中的化学计量 - 依赖性深度水平的光耦合调查
作者:
Yutaka Oyama
;
Jun-ichi Nishizawa
;
Kyoon Kim
;
Atsushi Shimizu
;
Ken Suto
;
Institute of Physics Publishing
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1999年
48.
Thermal cycle annealing and Si doping effects on the crystalline quality of GaAs/Si grown by MBE
机译:
热循环退火和Si掺杂对MBE生长的GaAs / Si晶体质量的影响
作者:
K.Baskar
;
H.Kawanami
;
I.Sakata
;
T.Sekigawa
;
Institute of Physics Publishing
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1999年
49.
'AND' function in coulomb blockade device
机译:
“和”在库仑封锁设备中的功能
作者:
K Tsukagoshi
;
B W Alphenaar
;
K Nakazato
;
Institute of Physics Publishing
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1999年
50.
Properties of (Ga,Mn)As and their dependence on molecular beam growth conditions
机译:
(Ga,Mn)的性质及其对分子束生长条件的依赖性
作者:
F.Matsukura
;
A.Shen
;
Y.Sugawara
;
T.Omiya
;
Y.Ohno
;
H.Ohno
;
Institute of Physics Publishing
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1999年
51.
Miscibility gap calculation for Ga_1-xIn_xN_yAs_1-y including strain effects
机译:
GA_1-XIN_XN_YAS_1-Y的混溶性差距计算,包括应变效应
作者:
D.Schlenker
;
T.Miyamoto
;
Z.Pan
;
F.Koyama
;
K.Lga
;
Institute of Physics Publishing
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1999年
52.
Migration enhanced epitaxial growth and photoluminescence excitation analysis of GaAs/AlGaAs quantum wire array of different wire widths
机译:
迁移增强了GaAs / Algaas量子线阵列不同线宽的GaAs / Algaas量子线阵列的外延生长和光致发光激发分析
作者:
D.H.Kim
;
S.J.Rhee
;
H.S.Ko
;
Y.A.Leem
;
M.G.Sung
;
I.C.Moon
;
S.Y.Kim
;
H.G.Yi
;
W.S.Kim
;
J.C.Woo
;
Institute of Physics Publishing
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1999年
53.
MBE Regrowth over a patterned partial deriv-doped backgate
机译:
MBE在图案化的部分德夫掺杂的背板上再生
作者:
M L L eadbeater
;
T M Burde
;
E H Linfield
;
N K Patel
;
D A Ritchie M Pepper
;
Institute of Physics Publishing
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1999年
54.
Surface passivation of GaAs grown on Si by selenium sulfide treatment
机译:
通过硒硫化物处理在Si上生长的GaAs的表面钝化
作者:
J Arokiaraj
;
K Ohtsuka
;
T Soga
;
T Jimbo
;
M Umeno
;
Institute of Physics Publishing
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1999年
55.
InAlAs/Pseudomorphic-InGaAs MMICs for 76GHz-band millimeter wave radar
机译:
76GHz带毫米波雷达的Inalas / pseudomorphic-Ingaas MMIC
作者:
Takashi Taguchi
;
Kazuoki Matsugatani
;
Koichi Hoshino
;
Hitoshi Yamada
;
Yoshiki Ueno
;
Institute of Physics Publishing
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1999年
56.
Coordinate dependence of transient and steady-state responsivity in quantum well infrared photodetectors
机译:
瞬态孔井红外光电探测器瞬态和稳态反应性的坐标依赖性
作者:
M.Ershov
;
Institute of Physics Publishing
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1999年
57.
Two-step GaAs/AlGaAs selective dry etching process to control vertical and lateral recess profile
机译:
两步GaAs / AlgaAs选择性干蚀刻工艺以控制垂直和侧向凹陷轮廓
作者:
T Uda
;
M Nishitsuji
;
K Inoue
;
T Tanaka
;
D Ueda
;
Institute of Physics Publishing
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1999年
58.
Tunneling metal - semiconductor devices with adjustable barrier height and width,fabricated with GaAs molecular layer epitaxy and W CVD
机译:
隧道金属 - 具有可调节屏障高度和宽度的半导体器件,用GaAs分子层外延和W CVD制造
作者:
P Plotka
;
F Matsumoto
;
J Nishizawa
;
Institute of Physics Publishing
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1999年
59.
Quantum-confined stark effect tuned MQW laser using post-growth band-gap engineering
机译:
量子密闭的术穗效应调谐MQW激光使用后生长带隙工程
作者:
X.Huang
;
A.J.Seeds
;
J.S.Roberts
;
A.P.Knights
;
Institute of Physics Publishing
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1999年
60.
Effect of high temperature annealing on precipitate formation in carbon-doped base of InGaP/GaAs HBTs grown by LP-MOCVD
机译:
高温退火对LP-MOCVD生长的碳掺杂碱沉淀成沉淀物形成的影响
作者:
Q.Yang
;
D.Scott
;
P.Meyer
;
H.C.Kuo
;
Q.J.Hartmann
;
J.E.Baker
;
G.E.Stillman
;
Institute of Physics Publishing
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1999年
61.
Volume distribution of InAs/GaAs self-assembled quantum dots
机译:
INAS / GAAS自组装量子点的体积分布
作者:
Y.Ebiko
;
S.Muto
;
S.Itoh
;
D.Suzuki
;
H.Yamakosi
;
K.Shiramine
;
T.Haga
;
Institute of Physics Publishing
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1999年
62.
Six-inch-Diameter semi-insulating GaAs crystal grown by the vertical boat method
机译:
六英寸直径的半绝缘GaAs晶体由垂直船舶生长
作者:
K.Hashio
;
H.Yoshida
;
T.Sadurada
;
M.Yamashita
;
T.Kawase
;
M.Kiyama
;
S.Sawada
;
R.Nakai
;
K.Hara
;
Institute of Physics Publishing
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1999年
63.
Full band monte carlo simulation of a 100 nm 4H-SiC high frequency MOSFET
机译:
全带蒙特卡罗仿真100 NM 4H SIC高频MOSFET
作者:
M Hjelm
;
H-E Nilsson
;
E Dubaric
;
P Kackell
;
C S Petersson
;
Institute of Physics Publishing
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1999年
64.
Spatial distribution of light reflectance modulated by near-field radio-frequency excitation in semiconductor structures
机译:
通过半导体结构近场射频激发调制光反射率的空间分布
作者:
A.O.Volkov
;
O.A.Ryabushkin
;
Institute of Physics Publishing
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1999年
65.
Growth of TlInGaP and TlInGaAs for temperature-independent bandgap energy III-V semiconductors
机译:
Tlingap和TlingaAs的生长与温度无关的带隙能量III-V半导体
作者:
H.Asahi
;
K.Takenada
;
H.Koh
;
K.Oe
;
K.Asami
;
S.Gonda
;
Institute of Physics Publishing
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1999年
66.
Multiband modeling of quantum electron transport based on the green function theory
机译:
基于绿色函数理论的量子电子传输多频
作者:
M.Ogawa
;
T.Sugano
;
T.Miyoshi
;
Institute of Physics Publishing
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1999年
67.
First demonstration of an ALGaN/GaN heterojunction bipolar transistor
机译:
ALGAN / GAN异质结双极晶体管的首先演示
作者:
Lee S McCarthy
;
P Kozodoy
;
M Rodwell
;
S DenBaars
;
U K Mishra
;
Institute of Physics Publishing
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1999年
68.
Control of breakdown behavior for a GaAs MESFET with a field modulating plate
机译:
用现场调制板控制GaAs MESFET的击穿行为
作者:
Yosuke Miyoshi
;
Kazunori Asano
;
Yasunobu Nashimoto
;
Yasunori Mochizuki
;
Koji Ishikura
;
Masaaki Kuzuhara
;
Masashi Mizuta
;
Institute of Physics Publishing
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1999年
69.
Utudies of InAs(111) and GaSb(111) thin films grown on LiTaO_3(110) substrate by XRD
机译:
通过XRD在LiTaO_3(110)衬底上生长在LiTaO_3(110)底物上生长的InAs(111)和Gasb(111)的核心
作者:
W.T.Yuen
;
S.Y.Matsuno
;
N.Kuze
;
K.Kaya
;
H.Goto
;
Y.Shibata
;
M.Tsunashima
;
Y.Yamagata
;
Institute of Physics Publishing
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1999年
关键词:
SAW;
field effect SAW amplifier;
FE-SAWAMP;
InAs/LiTaO_3;
GaSb/LiTaO_3.;
70.
Stacking fault and its effect on the GaN epitaxial growth
机译:
堆叠断层及其对GaN外延生长的影响
作者:
M.Hao
;
S.Mahanty
;
Y.Morishima
;
H.Takennada
;
J.Wang
;
S.Tottori
;
M.Nozaki
;
Y.Ishikawa
;
T.Sugahara
;
K.Nishino
;
Y.Naoi
;
S.Sakai
;
Institute of Physics Publishing
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1999年
71.
Transport properties of schottky in-plane-gate GaAs single and coupled quantum wire transistors
机译:
肖特基飞机栅极GAAs单耦合量子丝晶体管的运输特性
作者:
Jin Nakamura
;
Takashi Kudoh
;
Hiroshi Okada
;
Hideki Hasegawa
;
Institute of Physics Publishing
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1999年
72.
High-f~T AlGaAs/InGaAs HBTs with reduced emitter resistance for low-power-consumption,high-speed ICs
机译:
高压Algaas / InGaAs HBT,用于低功耗,高速IC的发射极性电阻降低
作者:
Takaki Niwa
;
Yasushi Amamiya
;
Masayuki Mamada
;
Hidenori Shimawaki
;
Institute of Physics Publishing
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1999年
73.
Epitaxial Growth of ZnSe and ZnCdSe by MBE using mass spectrometer
机译:
MBE使用质谱仪通过MBE外延生长ZnSe和ZnCDSE
作者:
H Okuyama
;
S Kijima
;
Y Sanaka
;
A Ishibashi
;
Institute of Physics Publishing
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1999年
74.
Piezoelectric and excitonic effects on optical properties of pseudomorphically strained wurtzite GaN quantum well lasers
机译:
压电和兴奋剂对假形状应变卟啉甘蓝孔井激光器的光学性质的影响
作者:
J.B.Jeon
;
G.D.Sanders
;
K.W.Kim
;
M.A.Littlejohn
;
Institute of Physics Publishing
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1999年
75.
Bistability of electroluminescence in In_0.52Al_0.48As/AlAs_0.56Sb_0.44 type II multiple quantum well diodes
机译:
IN_0.52AL_0.48AS / ALAS_0.56SB_0.44 II型多量子阱二极管中的电致发光的双空性
作者:
Y.Kawamura
;
K.Yoshimatsu
;
N.Inoue
;
Institute of Physics Publishing
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1999年
76.
Self-organized process of InAs-quantum dots monitored by reflectance-difference spectroscopy
机译:
通过反射差异光谱监测的INAS - 量子点的自组织过程
作者:
Takashi Kita
;
Toshitugu Hagihara
;
Kenichi Yamashita
;
Taneo Nishino
;
Institute of Physics Publishing
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1999年
77.
AlGaAs nano-meter scale network structures fabricated by selective area MOVPE
机译:
AlGaAS纳米米级网络结构由选择性区域Movpe制造
作者:
K.Hayakawa
;
K.Kumakura
;
J.Motohisa
;
T.Fukui
;
Institute of Physics Publishing
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1999年
78.
Magnetophololuminescence in n- and p-type Si-modulation-doped AlGaAs/GaAs single-heterostructures
机译:
磁芯致发光在N-和P型Si调制掺杂的AlgaAs / GaAs单异质结构中
作者:
K Suzuki
;
K.Saito
;
K.Muraki
;
Y.Hirayama
;
Institute of Physics Publishing
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1999年
79.
I-V characteristics and two-dimensional electron gas transport properties above room temperature in gate-controlled Al_0.15Ga_0.85N/GaN heterostructure
机译:
I-V特性和二维电子气体输送性能高于室温,栅极控制AL_0.15GA_0.85N / GaN异质结构
作者:
N Maeda
;
T Nishida
;
T Saitoh
;
N Kobayashi
;
Institute of Physics Publishing
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1999年
80.
Transition from GaAs(001)(2x6)-S to (2x3)-S surfaces observed by synchrotron radiation photoelectron spectroscopy,X-ray absorption near edge structure,and X-ray standing waves
机译:
从GaAs(001)(2x6)(2x6)-s -s-s的表面转变为(2x3)的表面,通过同步辐射光电子光谱,近边缘结构附近的X射线吸收和X射线驻波
作者:
Shiro Tsukamoto
;
Masahiko Shimoda
;
Munehiro Sugiyama
;
Yoshio Watanabe
;
Satoshi Maeyama
;
Takahisa Ohno
;
Nobuyuki Koguchi
;
Institute of Physics Publishing
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1999年
81.
Effect of a low resistance multilayer cap on 3.5V PDC power performance for an enhancement-mode heterojunction FET
机译:
低电阻多层帽对增强模式异质结FET 3.5V PDC功率性能的影响
作者:
Y Bito
;
N Iwata
;
Institute of Physics Publishing
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1999年
82.
Self-limiting submonolayer growth of InP by alternative triethylindium and tertiarybutylphosphine supply in ltra high vacuum
机译:
在LTRA高真空中通过替代三乙基吲哚和叔丁基膦供应自限制亚氯酰基
作者:
Nobuyuki Otsuka
;
Jun-ichi Nishizawa
;
Hideyuki Kikuchi
;
Yutaka Oyama
;
Institute of Physics Publishing
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1999年
83.
InP-based heterojunction FET with composite channel consisting of In_0.53Ga_0.47As / In_0.4Ga_0.6As layers for highdrain voltage operation
机译:
基于INP的异质结FET,复合通道由in_0.53ga_0.47as / in_0.4ga_0.6as层组成,用于高层电压操作
作者:
A.Fujihara
;
E.Mizuki
;
Y.Ando
;
T.Nakayama
;
H.Miyamoto
;
N.Samoto
;
M.Kanamori
;
Institute of Physics Publishing
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1999年
84.
Formation of InAs dots including Mn atoms by etalorganic molecular beam epitaxy and etching
机译:
形成INAS点,包括MN原子通过环状分子束外延和蚀刻
作者:
T.Tashima
;
H.Asahi
;
J.Sato
;
K.Asami
;
Y.K.Zhou
;
S.Gonda
;
Institute of Physics Publishing
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1999年
85.
New way to enhance the uniformity of self-organized InAs quantum dots
机译:
增强自组织INAS量子点均匀性的新方法
作者:
Haijun Zhu
;
Hui Wang
;
Zhiming Wang
;
Liqiu Cui
;
Songlin Feng
;
Institute of Physics Publishing
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1999年
86.
High temperature (500deg C) implantation study of P~+ and N~+ implanted epitaxial N-type 4H-SiC
机译:
高温(500deg C)P〜+和N +植入外延N型4H-SiC的植入研究
作者:
M B Scott
;
Y K Yeo
;
R L Hengehold
;
J D S cofield
;
Institute of Physics Publishing
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1999年
87.
Electrical characteristics of MIS capacitors with AlN gate insulators grown by MBE on 4H-SiC substrate
机译:
用MBE在4H-SiC基板上产生的ALN栅极绝缘体的MIS电容器的电气特性
作者:
K.Fukuda
;
T.Koizumi
;
H.Okumura
;
K.Nagai
;
T.Sekigawa
;
S.Yoshida
;
K.Arai
;
Institute of Physics Publishing
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1999年
88.
Optical quality improvement and blue-shift of GaInNAs/GaAs quantum well structures by thermal annealing
机译:
通过热退火的光学质量改善和GAINNAS / GAAS量子井结构的蓝色偏移
作者:
T.Kageyama
;
T.Miyamoto
;
S.Makoino
;
F.Koyama
;
K.Iga
;
Institute of Physics Publishing
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1999年
89.
Columnar-shaped InAs/GaAs self-assembled quantum dots grown by molecular beam epitaxy
机译:
通过分子束外延生长的柱状in in / gaas自组装量子点
作者:
Y Nakata
;
Y Sugiyama
;
K Mukai
;
T Futatsugi
;
H Shoji
;
M Sugawara
;
H Ishikawa
;
N Yokoyama
;
Institute of Physics Publishing
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1999年
90.
Photocurrent spectroscopic studies of interactions between GaAs/AlAs superlattice stark ladders and GaAs single quantum well states under the electric field
机译:
在电场下GaAs / Alas超晶格Stark梯子和GaAs单量子阱状态相互作用的光电流光谱研究
作者:
T.Nogami
;
K.Kawasaki
;
K.Kawashima
;
K.Fujiwara
;
Institute of Physics Publishing
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1999年
91.
High-speed composite-collector InGaP/InGaAs/GaAs HBTs
机译:
高速复合集电极INGAP / INGAAS / GAAS HBT
作者:
A.Hagley
;
R.K.Surridge
;
Institute of Physics Publishing
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1999年
92.
Selective area growth (SAG) and epitaxial lateral overgrowth (ELO) of wurtzite GaN on (111) Si substrate by metalorganic vapor phase epitaxy
机译:
金属机气相外延(111)Si谱系的选择性区域生长(SAG)和外延横向过度生长(ELO)通过金属蒸汽相外延
作者:
Yasutoshi Kawaguchi
;
Yoshio Honda
;
Masahito Yamaguchi
;
Kazumasa Hiramatsu
;
Nobuhiko Sawaki
;
Institute of Physics Publishing
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1999年
93.
Effect of electro-chemical etching in deionized water on RF performance of 0.1 #um#m gate pseudomorphic InGaAs/AlGaAs HEMT
机译:
电气化学蚀刻在离散水中的影响0.1 #MUM#M门Pseudomorphic InGaAs / Algaas HEMT的射频性能
作者:
M.Sato
;
T.Ohshima
;
M.Tsunotani
;
T.Kimura
;
Institute of Physics Publishing
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1999年
94.
The role of stressor size fluctuation in photoluminescence of strain-induced quantum dots
机译:
压力尺寸波动在应变诱导量子点光致发光中的作用
作者:
J.Ahopelto
;
M.Sopanen
;
H.Lipsanen
;
J.Tulkki
;
Institute of Physics Publishing
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1999年
95.
First-principle total energy calculations of atomic and electronic structures of Si_1-x-y Ge_xC_y
机译:
SI_1-X-Y GE_XC_Y的原子和电子结构的第一原理总能量计算
作者:
M Ohfuti
;
M Ikeda
;
Y Awano
;
N Yokoyama
;
Institute of Physics Publishing
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1999年
96.
Ultrafast energy relaxation time in short wavelength intersubband transition measured by pump probe method
机译:
超快能量松弛时间在短波长的泵和探针方法测量的短波长运动员
作者:
Takashi Asano
;
Susumu Noda
;
Katsuhiro Tomoda
;
Institute of Physics Publishing
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1999年
97.
Near-noble transition-metal-based ohmic contacts to p-type InP:comparison of base metals(Ni,Pd)
机译:
基于贵贵的过渡金属的欧姆触点P型InP:基础金属的比较(Ni,Pd)
作者:
Akira Yamaguchi
;
Takeshi Okada
;
Yasuhiro Iguchi
;
Tadashi Saitoh
;
Hirokuni Asamizu
;
Yasuo koide
;
Masanori Murakami
;
Institute of Physics Publishing
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1999年
98.
Formation of InGaAs dots on InP substrate with lattice-matching growth condition by droplet heteroepitaxy
机译:
通过液滴杂交与晶格匹配生长条件的INP衬底上的INGAAS点
作者:
Y Nonogaki
;
T Iguchi
;
S Fuchi
;
R Oga
;
H Moriya
;
Y Fujiwara
;
Y Takeda
;
Institute of Physics Publishing
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1999年
99.
Gain spectra measurement of strained InGaAsP /GaAsP / AlGaAs single and double quantum well laser structures for wavelengths near 800 nm
机译:
增强光谱法测量应变的InGaAsp / GaASP / Algaas单量子和双量子孔激光结构,用于接近800nm的波长
作者:
A.Oster
;
F.Bugge
;
G.Erbert
;
H.Wenzel
;
Institute of Physics Publishing
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1999年
100.
Comparative investigation of a single and double channel submicron InP HEMT's using a quasi-2D non-stationary transport modeling
机译:
使用Quasi-2D非平稳运输建模单个和双通道亚微米INP HEMT的比较研究
作者:
A.Nezzari
;
C.Ladner
;
JF.Palmier
;
G.Post
;
Institute of Physics Publishing
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1999年
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