Stanford University.;
机译:新颖的锗n-MOSFET,在硅上选择性生长的Ge上具有提高的源/漏,用于单片集成
机译:通过TCAD模拟对p-AlGaN电子阻挡层进行选择性区域生长和能带工程,将GaN LED与垂直驱动MOSFET单片集成
机译:GaN LED的单片集成与垂直驾驶MOSFET通过选择区域生长和P-Algan电子阻挡层的带工程,但是TCAD仿真
机译:高性能n-MOSFET,在Si上选择性生长的Ge上具有新颖的源/漏,用于单片集成
机译:通过选择性外延生长对III型氮化物器件进行单片集成
机译:用于低功率单片集成Si光学互连的高光敏性Ge-dot光电MOSFET
机译:高性能n-MOSFET,在Si上选择性生长的Ge上具有新颖的源/漏,用于单片集成