法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-12-06
发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L21/339 申请公布日:20150506 申请日:20150211
发明专利申请公布后的驳回
2015-05-27
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/339 申请日:20150211
实质审查的生效
2015-05-06
公开
公开
机译: Inaln AlGaN Si GaN低薄层电阻GaN通道在Si基板上使用Inaln和AlGan Bi-Lay封盖堆叠
机译: -基于负微分电阻器件和包括该器件的装置的光-微波转换器
机译: -基于负微分电阻器件和包括该器件的装置的光-微波转换器