机译:Al_2O_3-HfO_2叠层高k电介质的AlGaN / GaN MIS-HFET的器件特性
School of Electrical Engineering & Computer Science, Kyungpook National University, Daegu 702-701, Korea;
insulator; high-k dielectric; AlGaN/GaN HFET; MIS; Al_2O_3-HfO_2 laminated dielectric;
机译:具有原子层沉积(ALD)HfAlO高k电介质的AlGaN / GaN功率器件的高温器件传输性能和关态特性的改善
机译:具有薄AlGaN势垒层的掺杂沟道AlGaN / GaN MIS-HFET的高温特性
机译:使用HfO_2高k电介质进行表面钝化和栅氧化的AlGaN / GaN HEMT的增强的器件性能
机译:使用基于Al2O3的高k电介质的AlGaN / GaN MIS-HFET的器件特性
机译:研究常关模式的AlGaN / GaN MOS HEMT器件,该器件利用栅极后退和p-GaN栅极结构以及带有醛生长的高k栅极绝缘体来实现高功率应用。
机译:Algan / GaN在没有GaN缓冲层的SIC器件上:电气和噪声特性
机译:研究“高k”材料作为AlGaN / GaN基金属-绝缘体-半导体异质结构场效应晶体管(MISHFET)的替代电介质