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基于高K材料的叠栅AlGaN/GaN高电子迁移率MOS器件

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本发明公开了一种基于高K材料的叠栅AlGaN/GaN高电子迁移率MOS器件。其自下而上包括：衬底(1)、AlN成核层(2)、GaN缓冲层(3)、AlGaN势垒层(4)和栅介质层(5)，AlGaN势垒层的两端分别为源级(7)和漏级(8)，栅介质层(5)的上部为栅极(6)，该栅介质层(5)自下而上包括Al

著录项

公开/公告号CN109285890A

专利类型发明专利
公开/公告日2019-01-29

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申请/专利权人吴绍飞;
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申请/专利号CN201710636978.0
发明设计人吴绍飞;
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申请日2017-07-19
分类号
代理机构
代理人
地址 211100 江苏省南京市江宁区禄口街道成功村方家湾20号
入库时间 2024-02-19 06:53:11

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2019-01-29

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