法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-05-01
发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L29/778 申请公布日:20170419 申请日:20161014
发明专利申请公布后的驳回
2017-05-17
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/778 申请日:20161014
实质审查的生效
2017-04-19
公开
公开
机译: AlGaN / GaN高电子迁移率器件
机译: 在基于GaN的帽段上具有栅极触点的AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管的制造方法
机译: GaN高电子迁移率(HEMT)结构