机译:具有薄AlGaN势垒层的掺杂沟道AlGaN / GaN MIS-HFET的高温特性
NTT Photonics Laboratories, NTT Corporation, 3-1 Morinosato Wakamiya, Atsugi-shi, Kanagawa 243-0198, Japan;
Ⅲ-Ⅴ and Ⅱ-Ⅵ semiconductors; metal-insulator-semiconductor structures (including semiconductor-to-insulator); field effect devices;
机译:包含未耗尽势垒层的AlGaN / GaN MIS-HFET的分析电荷控制模型
机译:包含未耗尽势垒层的AlGaN / GaN MIS-HFET的分析电荷控制模型
机译:具有p-GaN背势垒和Si Delta掺杂层的AlGaN / GaN异质结构场效应晶体管的增强电特性
机译:AlGaN / GaN异质结的持续光电导率由AlGaN阻挡层中深度水平的电离引起的
机译:射频磁控溅射生长的GaN薄膜的特性用于制造AlGaN / GaN HEMT生物传感器
机译:薄Algan屏障PT-AlGaN / GaN HEMT气体传感器的响应增强在高温下源连接栅极配置
机译:具有薄AlGaN势垒层的AlGaN / GaN异质结构场效应晶体管的Al2O3绝缘栅结构
机译:铍掺杂GaN缓冲层对外延alGaN / GaN异质结构电子性质的邻近效应