在3C-SiC衬底上制备石墨烯的方法

摘要

本发明公开了在3C-SiC衬底上制备石墨烯的方法，主要解决现有技术中制备的石墨烯面积小、层数不均匀的问题。本发明采用在4-12英寸的Si衬底基片上先生长一层碳化层作为过渡，然后在温度为1150℃-1300℃下进行3C-SiC异质外延薄膜的生长，生长气源为C3H8和SiH4，然后将3C-SiC在800-1000℃下与气态CCl4反应，生成双层碳膜，再在Ar气中温度为1000-1100℃下退火10-20min生成双层石墨烯。本发明具有双层石墨烯面积大，表面光滑，孔隙率低的优点，可用于对气体和液体的密封。