一种减小高深宽比工艺填充浅沟隔离槽关键尺寸损失的方法

摘要

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种使用高深宽比工艺填充的浅沟槽隔离技术。本发明公开了一种减小高深宽比工艺填充浅沟隔离槽关键尺寸损失的方法，通过采用一氧化氮对初始生长的氧化硅衬垫层的氮化处理或者使用一氧化氮/氧气对硅表面的混合氧化，在氧化硅衬垫层中形成一层致密的氮氧化硅薄膜，从而增强了氧化硅衬垫层对于水汽的阻挡能力，以减少高深宽比工艺工艺所必需致密化工艺对有源区线宽造成的损失，且能合理的控制成本，相应的增加了工艺窗口。