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Semiconductor Technology(ISTC2008)
Semiconductor Technology(ISTC2008)
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1.
INVESTIGATION OF DYNAMIC CMP PAD-WAFER CONTACT CHARACTERISTICS BY COMPUTATIONAL MODELING
机译:
通过计算建模研究动态CMP PAD晶圆的接触特性
作者:
M.Arzadun
;
rnH.Laborde
;
rnD.Morris
;
rnL.Fern ndez
会议名称:
《Semiconductor Technology(ISTC2008)》
|
2008年
关键词:
Chemical-Mechanical Planarization (CMP);
Contact Mechanics;
Finite Element Method;
2.
STUDY ON CMP MECHANISM AND NANOMETER SLURRY OF NiP SUBSTRATE OF COMPUTER HARD-DISK
机译:
计算机硬磁盘NiP基体的CMP机理和纳米浆料的研究
作者:
K.Auerswald
;
rnT.Maennel
;
rnY.F.Bai
;
rnM.Wittmer
;
rnH.Schnyder
会议名称:
《Semiconductor Technology(ISTC2008)》
|
2008年
关键词:
NiP Substrate;
CMP;
Slurry;
Mechanism;
3.
PACKAGING OF SILICON CARBIDE POWER SEMICONDUCTOR DEVICES
机译:
碳化硅功率半导体器件的包装
作者:
K.Brinkmann
;
rnU.Dickhoefer
;
rnE.Schlecht
;
rnA.Buerkert
会议名称:
《Semiconductor Technology(ISTC2008)》
|
2008年
关键词:
Silicon carbide;
transient liquid phase bonding;
silicon nitride substrate;
high-temperature die attach;
power semiconductor packaging;
4.
RAPID THERMAL PROCESSING FROM 100℃ TO 1100℃ WITHOUT LAMPS: ISOTHERMAL CAVITY CONCEPT AND PROCESS RESULTS
机译:
在没有灯的情况下从100℃迅速加热到1100℃的快速热处理:等温腔概念和过程结果
作者:
Lorraine (Lori) Ridgeway
会议名称:
《Semiconductor Technology(ISTC2008)》
|
2008年
关键词:
rapid thermal processing;
isothermal cavity;
NiSi;
Cu anneal, oxidation;
implant activation;
5.
STUDY ON BARRIER CMP SLURRY
机译:
障碍物CMP浆液的研究
作者:
M.Alchin
;
rnB.Norton
;
rnD.Burnside
;
rnI.Watson
;
rnB.Alchin
会议名称:
《Semiconductor Technology(ISTC2008)》
|
2008年
关键词:
Barrier slurry Topography;
Corrosion;
Control capability;
6.
FUNDAMENTAL CHARACTERIZATION OF DIAMOND DISC, PAD, AND RETAINING RING WEAR IN CHEMICAL MECHANICAL PLANARIZATION PROCESSES
机译:
化学机械平面化工艺中金刚石圆盘,垫和保持环磨损的基本特征
作者:
A.Angassa
;
rnG.Oba
;
rnR.B.Weladji
会议名称:
《Semiconductor Technology(ISTC2008)》
|
2008年
关键词:
chemical mechanical planarization;
diamond disc;
pad;
retaining ring;
wear characterization;
7.
DEVELOPMENT OF ACIDIC POST-CMP CLEANERS FOR TUNGSTEN CMP
机译:
钨CMP酸性CMP后清洁剂的开发
作者:
G.R.Zehtabian
;
rnM.Ghadimi
;
rnJ.Bakhshi
会议名称:
《Semiconductor Technology(ISTC2008)》
|
2008年
8.
PROCESS OPTIMIZATION FOR ULTRA-FINE PITCH WIRE BONDING
机译:
超细间距导线接合的过程优化
作者:
P.Cornaglia
;
rnM.P.Clavijo
;
rnH.Harkes
;
rnA.
;
Ayala Torales
会议名称:
《Semiconductor Technology(ISTC2008)》
|
2008年
关键词:
wire bonding;
reliability;
intermetallics;
fine-pitch;
gold bonding wire;
capillary;
9.
INVESTIGATION OF POST CMP VOIDS IN NARROW TRENCHES OF 65 NM TECHNOLOGY NODE
机译:
65 NM技术节点窄槽中的CMP后空隙调查
作者:
TIAN H
;
rnLiu Y
;
rnCai H
;
rnZhang H.S H
会议名称:
《Semiconductor Technology(ISTC2008)》
|
2008年
关键词:
ECP;
Copper;
interconnect;
void;
10.
CU/BARRIER CMP PROTECTION FILM CHARECTERIZATION USING ELECTROCHEMICAL TECHNIQUE
机译:
使用电化学技术对CU / BARRIER CMP保护膜进行表征
作者:
Xi WANG
;
rnYuying SHEN
会议名称:
《Semiconductor Technology(ISTC2008)》
|
2008年
关键词:
Cu/barrier CMP;
protection film;
electrochemical technique;
11.
EVOLUTION AND REVOLUTION OF CERIUM OXIDE SLURRIES IN CMP
机译:
CMP中二氧化铈浆液的演化和演变
作者:
Jane R.King
;
rnJenni fer A.Walker
会议名称:
《Semiconductor Technology(ISTC2008)》
|
2008年
12.
CORROSION AND ORGANIC DEFECTS DURING CHEMICAL MECHANICAL POLISHING OF COPPER
机译:
铜化学机械抛光过程中的腐蚀和有机缺陷
作者:
C.A.Acuna
;
rnA.R.Blount
;
rnC.L.Mackowiak
;
rnK.H.Quesenberry
会议名称:
《Semiconductor Technology(ISTC2008)》
|
2008年
关键词:
Chemical mechanical polishing (CMP);
corrosion;
organic defects;
13.
BARC FOR IMMERSION AND HYPER NA PROCESS
机译:
浸入式和超NA工艺
作者:
Xue Liang
会议名称:
《Semiconductor Technology(ISTC2008)》
|
2008年
关键词:
BARC;
ArF;
Immersion;
Hyper NA;
resist profile;
blob;
defect;
sublimation;
and barrier film;
14.
THE MATERIAL CHARACTERIZATION OF NICKEL GERMANOSILICIDES ON SiGe/Si SUBSTRATE AND THE CONTACT SIZE EFFECT ON SCHOTTKY DIODES
机译:
SiGe / Si基质上的镍锗硅化物的材料表征和肖特基二极管的接触尺寸效应
作者:
T.L.Thurow
会议名称:
《Semiconductor Technology(ISTC2008)》
|
2008年
关键词:
nickel germanosilicides;
size effect;
Schottky barrier height;
ideality factor;
15.
IMPACT OF ION IMPLANTATION ON NICKEL GERMANIDES FORMATION WITH PURE-Ge SUBSTRATE AND THE ELECTRICAL DEPENDENCE OF NiGe/Ge SCHOTTKY DIODE ON CONTACT SIZE
机译:
离子注入对纯Ge基质形成锗锗化物的影响以及NiGe / Ge肖特基二极管对接触尺寸的电依赖性
作者:
Xiao Fang
会议名称:
《Semiconductor Technology(ISTC2008)》
|
2008年
关键词:
germanide;
Schottky;
barrier height;
size effect;
16.
SACVD USG INTEGRATION IN ADVANCED FLASH SELF-ALIGN STI
机译:
SAKVD PSG集成在先进的FLASS自对准系统中
作者:
Supranee Chinabut
会议名称:
《Semiconductor Technology(ISTC2008)》
|
2008年
关键词:
Sub-Atmospheric CVD (SACVD);
self-align STI (SA-STI);
annealing;
gap fill;
pull back;
CMP;
17.
FORMULATING FOR EXTREME PR-STRIPPING ACHIEVING PERFORMANCE, SELECTIVITY, STABILITY
机译:
为实现出色的性能,选择性和稳定性而设计的极佳PR条形
作者:
Alexander Chepurenko
;
rnOlga Obraztsova
会议名称:
《Semiconductor Technology(ISTC2008)》
|
2008年
关键词:
photoresist;
stripper;
wafer level packaging;
flip-chip technology;
inhibitor;
metal safety;
18.
AN EXTREME ULTRAVIOLET LITHOGRAPHY PROCEDURE FOR THE FABRICATION OF PASSIVE CROSSBAR ARRAYS
机译:
被动交叉阵列制造的极紫外光刻技术。
作者:
Sayalee Gankar
;
rnChandrashekhar Chitale
会议名称:
《Semiconductor Technology(ISTC2008)》
|
2008年
关键词:
passive crossbar array;
EUVL;
EBL;
nano-scale;
19.
X-RAY DIFFRACTION AND ANNEALING STUDY OF ALUMINUM THIN FILM
机译:
铝薄膜的X射线衍射和退火研究
作者:
Gunnar Knapp
会议名称:
《Semiconductor Technology(ISTC2008)》
|
2008年
关键词:
PVD;
Aluminum;
Al-Si-Cu;
Sputtering;
Preferred Crystallographic Orientation;
X-ray Diffraction;
Grain Size;
Grain Size Distribution;
SEM;
Orientational Order Distribution;
Azimuth symmetry;
20.
SCHOTTKY-BARRIER-HEIGHT MODULATION OF NI SILICIDE/SI CONTACTS BY INSERTION OF THIN ER OR PT LAYERS
机译:
通过插入较薄的ER层或PT层对Ni硅化物/ SI触点进行肖特基-巴里尔高度调制
作者:
Manfred Klinkhardt
会议名称:
《Semiconductor Technology(ISTC2008)》
|
2008年
关键词:
Schottky barrier (SB);
Ni silicide;
platinum;
erbium;
21.
DUAL SIDE POST ETCH OVERLAY IN THROUGH WAFER ETCHING
机译:
通过晶圆刻蚀的双侧刻蚀覆盖
作者:
Hao TAN
;
rnJohn A.Mathews
会议名称:
《Semiconductor Technology(ISTC2008)》
|
2008年
关键词:
Dual Side Lithography;
Electrical Overlay Measurements;
MEMS;
Deep Reactive Ion Etching;
22.
INFLUENCE OF SUBSTRATES AND PRETREATMENT ON ADHESION CONTACT ANGLE AS A METHOD FOR LITHO PROCESS IMPROVEMENT
机译:
基材和预处理对粘合接触角的影响,作为改善工艺的一种方法
作者:
Federico Munari
;
rnLaura Toschi
会议名称:
《Semiconductor Technology(ISTC2008)》
|
2008年
关键词:
Resist Adhesion;
Contact Angle;
HMDS;
Substrates;
Pretreatment;
23.
STUDY ON MAJOR CONTRIBUTIONS TO OPC INACCURACY IN 180-NM TECHNOLOGY NODE
机译:
180 NM技术节点对OPC不准确度的主要贡献研究
作者:
Yu Gu
;
rnSong Chen
会议名称:
《Semiconductor Technology(ISTC2008)》
|
2008年
关键词:
lithography;
OPC;
model-based OPC;
180-nm technology;
DUV;
Nikon exposure tool;
maskshop calibration and maskshop qualification;
24.
CASE STUDY FOR MUSHROOM DEFECT ENCOUNTERED AT PASSIVATION MODULE
机译:
钝化模块中发生的蘑菇缺陷的案例研究
作者:
Liqun WEI
;
rnJun LIU
会议名称:
《Semiconductor Technology(ISTC2008)》
|
2008年
关键词:
pad discoloration;
mushroom defect;
aluminium fluoride;
pad contamination;
fluorine-induced;
rework method;
passivation deposition;
chemical dependent defect;
25.
EFFICIENT ATOMISTIC METHOD SIMUATION ON LOW ENERGY DOPING AND HIGH TEMPERATURE ANNEALING TECHNOLOGY
机译:
低能掺杂和高温退火技术的高效原子法模拟。
作者:
Chiara Franzoni
;
rnGiuseppe Scellato
会议名称:
《Semiconductor Technology(ISTC2008)》
|
2008年
关键词:
atomistic model;
shallow junction;
implantation;
annealing;
26.
SIMULATION ON THE EFFECT OF HALO IMPLANTATION PRECISION ON THE PERFORMANCE OF 36NM NMOSFET DEVICE
机译:
光晕注入精度对36NM NMOSFET器件性能影响的模拟
作者:
Galina V.Shirokova
;
rnDmitri Knatko
会议名称:
《Semiconductor Technology(ISTC2008)》
|
2008年
关键词:
Halo implantation;
36nm NMOSFET Device;
Vt;
Idsat;
Ion;
Ioff;
beam angle deviation;
27.
STRESS SIMULATION OF EMBEDDED Si1-yCy SOURCE/DRAIN nMOSFETs
机译:
嵌入式Si1-yCy源极/漏极nMOSFET的应力模拟
作者:
Yulia B.lina
;
rnIrina V.Berezinets
会议名称:
《Semiconductor Technology(ISTC2008)》
|
2008年
关键词:
strain engineering;
nMOSFETs;
embedded source/drain regions;
epitaxial deposition;
process simulation;
28.
ELECTROMIGRATION AND SIGNAL INTEGRITY IN MULTILEVEL INTERCONNECTION
机译:
多级互连中的电迁移和信号完整性
作者:
Kwok L.Shum
会议名称:
《Semiconductor Technology(ISTC2008)》
|
2008年
关键词:
interconnection;
redundancy;
signal integrity;
29.
A NEW SELF-ALIGNED BOI (BODY-ON-INSULATOR) FINFET FABRICATED ON BULK SI WAFERS
机译:
散装在硅晶圆上的新型自对准BOI(绝缘体上)FINFET
作者:
Yongji XUE
;
rnBingzhang ZHENG
;
rnYankong ZHU
会议名称:
《Semiconductor Technology(ISTC2008)》
|
2008年
关键词:
FinFET;
double gate MOSFET;
bulk silicon;
short-channel effects (SCEs);
30.
PROCESS DEVELOPMENT AND OPTIMIZATION OF NON-FLUORINE HDI RESIST STRIP AT 45NM
机译:
45NM非氟HDI抵抗力的工艺开发与优化
作者:
Michael Phillips
;
rnRohana Subasinghe
;
rnJesper Clausen
;
rnKoji Yamamoto
;
rnC.V.Mohan
;
rnA.Padiyar
;
rnSimon Funge-Smith
会议名称:
《Semiconductor Technology(ISTC2008)》
|
2008年
关键词:
HDI Dry Resist Strip;
Non-Fluorine Chemistry;
Defectivity;
Substrate Loss;
Dopant Retention;
31.
A STUDY OF OVERLAY MEASUREMENT LIMIT ON SUBSTRATES WITH VARYING SIGNAL QUALITIES
机译:
信号质量变化的覆盖层的测量极限研究
作者:
Frank Asche
;
rnSigbjorn Tveteras
会议名称:
《Semiconductor Technology(ISTC2008)》
|
2008年
32.
CONTROL OF METAL GATE OXIDATION IN PLASMA PROCESSING OF IC DEVICES
机译:
IC设备等离子工艺中金属门氧化的控制
作者:
Israel Snir
会议名称:
《Semiconductor Technology(ISTC2008)》
|
2008年
关键词:
metal oxidation;
photoresist stripping;
selective polysilicon oxidation;
33.
PRODUCTIVITY IMPROVEMENT: FIRST WAFER EFFECT OF POLY/TUNGSTEN-SILICIDE STACK FOR SUB-100NM DRAM APPLICATION
机译:
生产率提高:用于100nm以下DRAM的多晶硅/钨硅化物叠层的第一晶片效应
作者:
Nguyen Huu Dzung
会议名称:
《Semiconductor Technology(ISTC2008)》
|
2008年
关键词:
First wafer effect;
poly gate;
poly/tungsten silicide;
DRAM;
34.
ANNEALING OF NEODYMIUM ALUMINATE HIGH-k DIELECTRIC DEPOSITED BY LIQUID INJECTION MOCVD USING SINGLE SOURCE HETEROMETALLIC ALKOXIDE PRECURSOR
机译:
单源异规烷烃前驱体液相注入气相沉积铝酸铝高k电介质的退火
作者:
Douglas McLeod
会议名称:
《Semiconductor Technology(ISTC2008)》
|
2008年
关键词:
High-k material;
NdA1Ox;
XRD;
XTEM;
MEIS;
MOCVD;
Post deposition annealing.;
35.
REMOVAL OF ORGANIC CONTAMINANTS ON SI WAFER SURFACES BY ELECTROCHEMICAL CLEANING TECHNIQUE
机译:
电化学清洗技术去除硅晶片表面上的有机污染物
作者:
B.Hackney
;
rnB.Dear
;
rnC.Rodham
;
rnG.Dyce
;
rnG.Li
会议名称:
《Semiconductor Technology(ISTC2008)》
|
2008年
关键词:
Wet cleaning;
Organic contaminations;
Electrochemical cleaning technique (ECT);
Boron-doped Diamond (BDD) electrodes;
Peroxodiphosphate anion;
Micro-roughness;
36.
NANO-CRYSTAL FORMATION AND CHARACTERIZATION FOR MEMORY APPLICATIONS
机译:
存储器应用的纳米晶体形成和表征
作者:
K.H.Li
;
rnY.K.Hu
;
rnC.F.Lu
;
rnW.M.E.Wu
;
rnW.L.Li
会议名称:
《Semiconductor Technology(ISTC2008)》
|
2008年
关键词:
Nano-crystal;
memory;
CVD;
37.
STRUCTURE AND SURFACE CONTROL OF POROUS SILICON FOR SENSOR APPLICATIONS
机译:
传感器应用中多孔硅的结构和表面控制
作者:
Marun Jaurena
;
rnWalter Ayala
;
rnJosé Terra
;
rnRaül Bermüdez
;
rnEthel Barrios
;
rnXimena Lagomarsino
会议名称:
《Semiconductor Technology(ISTC2008)》
|
2008年
关键词:
Porous Silicon;
Electrochemical Oxidation;
Quantum Confinement;
Surface species;
38.
RESISTIVE SWITCHING CHARACTERISTICS OF HAFNIUM OXIDE WITH CU DOPING FOR NONVOLATILE MEMORY APPLICATION
机译:
非易失性存储器中WITH掺杂的氧化HA的电阻开关特性
作者:
J.T.Marty
会议名称:
《Semiconductor Technology(ISTC2008)》
|
2008年
关键词:
hafiiium oxide;
resistive switching;
nonvolatile memory;
39.
IMPROVEMENT IN METAL-INSULATOR-METAL CAPACITOR RELIABILITY BY USING TiN ONLY BOTTOM PLATE
机译:
仅使用TiN底部板来改善金属绝缘子金属电容器的可靠性
作者:
Raf Sluismans
;
rnFriso den Hertog
;
rnTinne Lommelen
;
rnPaul Kunst
会议名称:
《Semiconductor Technology(ISTC2008)》
|
2008年
关键词:
MIMC;
Titanium Nitride;
40.
ORIGIN OF FREQUENCY DISPERSION IN HIGH-K DIELECTRICS
机译:
高K介质中频率色散的起源
作者:
Wing Lam
;
rnMichael J.Harker
会议名称:
《Semiconductor Technology(ISTC2008)》
|
2008年
关键词:
High-k dielectrics;
LaAlO3;
ZrO2;
LaxZr1-xO2;
Dielectric relaxation;
Frequency dispersion;
Frequency dependence;
41.
HIGH-K MATERIALS AND THEIR RESPONSE TO X-RAY RADIATION
机译:
高K材料及其对X射线辐射的响应
作者:
Baoshan GE
;
rnBaobao DONG
;
rnJinrui HUANG
会议名称:
《Semiconductor Technology(ISTC2008)》
|
2008年
关键词:
High-k materials;
HfO2;
ZrO2;
LaAlO3;
NdAlO3;
Degradation;
X-ray radiation;
Flat band voltage shift;
ALD;
MOCVD;
Radiation hardness;
42.
CHARGE TO BREAKDOWN OF ONO, THE BOTTOM OXIDE AND THE TOP OXIDE IN ONO FOR NROMTM APPLICATIONS
机译:
用于NROMTM应用的ONO中的ONO,底部氧化物和顶部氧化物分解的电荷
作者:
Dong Soo Park
;
rnEun-Hoi Ku
会议名称:
《Semiconductor Technology(ISTC2008)》
|
2008年
关键词:
SONOS;
ONO;
high temperature oxide;
charge to breakdown;
43.
PLASMA ETCHING OF NANOMETER-SCALE SELF-ASSEMBLED FEATURES
机译:
纳米尺度自组装特征的等离子体刻蚀
作者:
N.J.Edwards
;
rnK.Copping
;
rnK.Holberton
;
rnP.Wijnands
会议名称:
《Semiconductor Technology(ISTC2008)》
|
2008年
关键词:
Plasma etching;
nanometer scale features;
nanometer scale pattern transfer;
self-assembled nanometer features;
44.
GST THIN FILM METROLOGY WITH XRR AND XRF
机译:
具有XRR和XRF的GST薄膜膜计量
作者:
Jennifer Firn
;
rnYvonne Buckley
会议名称:
《Semiconductor Technology(ISTC2008)》
|
2008年
关键词:
GST;
XRR;
XRF;
metrology;
PCM;
45.
DEEP TRENCH ETCHING FOR THROUGH-SILICON VIAS IN THREE-DIMENSIONAL INTEGRATION TECHNOLOGY
机译:
三维集成技术中贯穿硅的深沟槽蚀刻
作者:
G.Acosta
;
rnA.Ayala Toralesy
;
rnGatti
;
M.L
会议名称:
《Semiconductor Technology(ISTC2008)》
|
2008年
关键词:
Three-dimensional integration;
deep Si and SiO2 trench etching;
and through-silicon via (TSV);
46.
STUDY FOR TRENCH DOUBLE PATTERNING PROCESS UNDER LIMITED ILLUMINATION SYSTEM
机译:
有限照明系统下双通道打标过程的研究
作者:
Charles Hong-Jen Chiu
;
rnSheng-Hsiung Chang
会议名称:
《Semiconductor Technology(ISTC2008)》
|
2008年
关键词:
DP;
Lithography;
Overlay;
Line;
Trench;
and Resolution;
47.
65NM INTERMETAL LAYER LITHO PERFORMANCE OPTIMIZATION BY PLASMA TREATMENT
机译:
等离子体处理优化65NM中间层的性能
作者:
Cagri Bulut
;
rnCengiz Yitmaz
会议名称:
《Semiconductor Technology(ISTC2008)》
|
2008年
关键词:
Multi-layer;
BARC, Hard mask;
CDU;
LWR;
Plasma;
Treatment;
48.
SOLUTION PROCESSED ORGANIC MEMORY DEVICES
机译:
解决方案处理的有机存储设备
作者:
Goldfarb
;
Mana Cristina
;
rnCasco
;
José Francisco
;
rnGiménez
;
Laura Itatu
;
rnNunez Francisco
会议名称:
《Semiconductor Technology(ISTC2008)》
|
2008年
关键词:
Printed electronics;
cross-bar memory;
PEDOT;
Copper phthalocyanine;
49.
COMPARING MEASUREMENT METHODS FOR INTERMETALLIC COVERAGE
机译:
覆盖率的比较测量方法
作者:
C.Brophy
;
rnJ.Connolly
;
rnL.Kirwan
;
rnJ.Finn
;
rnA.Lüscher
;
rnT.Sebastia
;
rnR.Collins
;
rnC.Porqueddu
;
rnA.Helgadottir
会议名称:
《Semiconductor Technology(ISTC2008)》
|
2008年
关键词:
Au-Al intermetallic;
1st Bond, Reliability;
Etching;
Intermetallic;
Confocal microscopy;
50.
INNOVATIVE BONDING TOOL DESIGN FOR FINE PITCH COPPER WIRE APPLICATIONS
机译:
细间距铜线应用中的创新键合工具设计
作者:
S.Bittman
;
rnD.H.McCartney
;
rnF.C.Stevenson
会议名称:
《Semiconductor Technology(ISTC2008)》
|
2008年
关键词:
Copper;
Wire Bonding;
Capillary;
CuPRAPlus;
Fine Pitch;
Short Tail;
Tail Bond.;
51.
MICROSTRUCTURAL EVALUATION OF AL-CU INTERFACES IN WIRE-BONDING
机译:
焊线中Al-Cu界面的微观结构评估
作者:
T.Carnus
;
rnJ.A.Finn
;
rnL.Kirwan
;
rnA.Cuddihy
;
rnJ.Connolly
会议名称:
《Semiconductor Technology(ISTC2008)》
|
2008年
关键词:
Copper;
Al-Cu interface;
"as-bonded";
heat treatment;
intermetallic;
TEM;
SAD;
wire-bond;
52.
ENVIRONMENTAL CHALLENGES TO CHINA'S SEMICONDUCTOR MANUFACTURING INDUSTRY -AMC EFFECTS TO SEMICONDUCTOR IC FABRICATION IN CHINA
机译:
中国半导体制造业的环境挑战-AMC对中国半导体IC制造的影响
作者:
George T.Williams
会议名称:
《Semiconductor Technology(ISTC2008)》
|
2008年
53.
ENVIRONMENTAL CHALLENGES AND OPPORTUNITIES IN NANOELECTRONICS MANUFACTURING
机译:
纳米电子制造中的环境挑战与机遇
作者:
Druille
;
M.
;
rnGarbulsky
;
M.F.
;
rnDeregibus
;
V.A.
会议名称:
《Semiconductor Technology(ISTC2008)》
|
2008年
关键词:
sustainability;
nano-technology;
nano-electronics;
environmental impact;
54.
DAMASCENE METAL GATE TECHNOLOGY FOR DAMAGE-FREE HIGH-K PROCESS INTEGERATION
机译:
用于无损伤高K过程集成的DAMASCENE金属门技术
作者:
C.Sere
;
rnA.Ayantunde
;
rnA.Duncan
;
rnA.Freeman
;
rnM.Herrero
;
rnS.Tarareali
;
rnI.Wright
会议名称:
《Semiconductor Technology(ISTC2008)》
|
2008年
关键词:
high-k gate dielectric;
metal gate;
MOSFET;
front-end chemical mechanical polishing (CMP);
damascene metal gate technology;
55.
THERMAL AGING STUDY AT 150 ℃ and 200 ℃: GOLD BALL BONDS TO ALUMINUM BOND PAD
机译:
150℃和200℃的热老化研究:金球键合至铝键合垫
作者:
Daniel G.Robinett
会议名称:
《Semiconductor Technology(ISTC2008)》
|
2008年
关键词:
Thermal Aging;
Wire bonding;
Intermetallic growth.;
56.
PNL APPLICATION ON WCVD PROCESS-CONTACT STEP COVERAGE OPTIMIZATION FOR 0.13UM LOGIC PRODUCTS YIELD IMPROVEMENT
机译:
PNL在0.13um逻辑产品产量改进的WCVD过程接触步骤覆盖优化中的应用
作者:
Joel R.Brown
;
rnBrandon Bestelmeyer
会议名称:
《Semiconductor Technology(ISTC2008)》
|
2008年
关键词:
WCVD;
PNL;
Step coverage;
Aspect ratio;
57.
ADVANCED INLINE PROCESS CONTROL ON PVD SYSTEM-AN APPLICATION OF RGA FOR IC MANUFACTURING QUALITY AND CAPACITY IMPROVEMENT
机译:
PVD系统的先进在线过程控制-RGA在IC制造质量和容量改进中的应用
作者:
A.Peeters
会议名称:
《Semiconductor Technology(ISTC2008)》
|
2008年
关键词:
PVD;
RGA;
Hot Aluminum;
58.
CLUSTET ION IMPLANTATION SYSTEM FOR BEYOND 45NM DEVICE FABRICATION
机译:
超越45NM装置制造的丛集离子植入系统
作者:
Hans Schnyder
;
rnKarl Auerswald
会议名称:
《Semiconductor Technology(ISTC2008)》
|
2008年
关键词:
Cluster;
Ion Implantation;
45nm MOSFET Device;
Low Energy High Dose;
Low Beam Divergence;
Low Thermal Budget;
59.
OPPORTUNITIES AND CHALLENGES IN ELECTROCHEMICAL-MECHANICAL PLANARIZATION (ECMP)
机译:
机电机械平面化(ECMP)的机遇与挑战
作者:
Jun Chen
;
rnHua-kun Zhou
;
rnMasae Shiyomi
会议名称:
《Semiconductor Technology(ISTC2008)》
|
2008年
关键词:
Electrochemical-mechanical planarization;
copper;
tantalum;
ruthenium;
60.
INTEGRATION SOLUTION FOR A 300MM DIRECT STI CMP PROCESS QUALIFICATION FOR 65NM LOGIC PRODUCT
机译:
适用于65NM逻辑产品的300毫米直接STI CMP工艺认证的集成解决方案
作者:
Masae Shiyomi
;
rnJun Chen
会议名称:
《Semiconductor Technology(ISTC2008)》
|
2008年
关键词:
DSTI;
CMP;
HDPCVD;
61.
CONTROLLING RESIST RESIDUE DEFECTS AT I-LINE POLY LAYER
机译:
控制I线多聚层的树脂残渣缺陷
作者:
Tsui-Yii Shih
;
rnChi-Hung Huang
会议名称:
《Semiconductor Technology(ISTC2008)》
|
2008年
关键词:
I-line;
residue;
Novolak;
DNQ;
HMDS;
adhesion;
de-ionized water (DIW);
TMAH;
developer;
dissolution;
hydrophobic;
62.
AUTOMATIC OPTIMIZATION OF MEEF-DRIVEN DEFECT DISPOSITION FOR CONTAMINATION INSPECTION CHALLENGES
机译:
用于污染检查挑战的MEEF驱动的缺陷布置的自动优化
作者:
Bin YU
;
rnYijun SHEN
会议名称:
《Semiconductor Technology(ISTC2008)》
|
2008年
关键词:
Progressive defect;
haze;
ammonium sulfate;
defect inspection;
reticle inspection;
MEEF;
63.
MOLECULAR GLASS PHOTORESISTS BASED ON ACIDOLYSIS OF ACETAL COMPOUNDS
机译:
基于缩醛缩醛的分子玻璃光解剂
作者:
Xiaoguang LI
;
rnShubin JIAO
;
rnJinyue XU
会议名称:
《Semiconductor Technology(ISTC2008)》
|
2008年
关键词:
molecular glass;
positive photoresist;
divinyl ether;
ester acetal;
64.
POSITIVE CHARGE IN HF-BASED DIELECTRIC STACKS
机译:
基于HF的电堆的正电荷
作者:
Galina V.Shirokova
会议名称:
《Semiconductor Technology(ISTC2008)》
|
2008年
关键词:
Positive charges;
NBTI, Traps;
Instability;
Reliability;
Gate dielectric;
65.
THE ROLL OF CMP MODELING IN DFM
机译:
DFM中CMP建模的作用
作者:
Laurent Bach
;
rnPatrick Lierena
;
rnMireille Matt
;
rnMing Feng Tang
会议名称:
《Semiconductor Technology(ISTC2008)》
|
2008年
关键词:
CMP Modeling;
Hotspot Detection;
CMP Aware RC Extraction;
Model based DFM.;
66.
THREE-DIMENSIONAL ELECTROMAGNETIC MODELING OF SYSTEM-IN-PACKAGE AND SYSTEM-ON-GLASS TRANSMISSION-LINE PARAMETERS FOR DFM
机译:
DFM封装系统和玻璃上传输线参数的三维电磁建模
作者:
Deli YANG
会议名称:
《Semiconductor Technology(ISTC2008)》
|
2008年
关键词:
Transmission line;
parasitic;
mutual inductance;
self inductance;
capacitance;
resistance;
conductance;
low power;
time domain;
system-in-package;
TFT-LCD;
system-on-glass;
crosstalk;
SPICE;
S-parameters;
RLCK;
and DFM;
67.
IMPLICATIONS OF VARIABILITY ON TIMING, POWER, RELIABILITY, AND YIELD AT 45 NM AND BEYOND
机译:
45 NM及以后的时间对时序,功率,可靠性和产量的影响
作者:
Mingfeng TANG
;
rnLaurent BACH
;
rnPatrick LLERENA
;
rnMireille MATT
会议名称:
《Semiconductor Technology(ISTC2008)》
|
2008年
关键词:
chemical-mechanical polishing (CMP);
design for manufacturability (DFM);
inter-layer dielectric (ILD);
dummy-fill;
rule-based fill;
model-based fill;
depth of focus (DOF);
and interconnect;
68.
A NEW MEASUREMENT METHOD ON 1/F NOISE OF WAFER LEVEL
机译:
晶圆水平1 / F噪声的新测量方法
作者:
Mohand-Said Oukil
会议名称:
《Semiconductor Technology(ISTC2008)》
|
2008年
关键词:
1/f noise;
Low pass filter;
Current amplifier;
Automatic;
69.
PROPERTIES OF BALLISTIC CURRENT IN MOSFETs STUDIED BY RT MODEL
机译:
用RT模型研究MOSFET的弹道电流特性。
作者:
Jouchen CHEN
;
rnChiaHan YANG
;
rnJOSEPH Z.SHYU
会议名称:
《Semiconductor Technology(ISTC2008)》
|
2008年
关键词:
ballistic;
transport;
RT model;
back scattering;
70.
EQUIVALENT CIRCUIT ANALYSIS OF V-SRZRO3 SPUTTER-DEPOSITED THIN FILMS SHOWING RESISTIVE SWITCHING
机译:
V-SRZRO3溅射沉积电阻开关薄膜的等效电路分析
作者:
Aravind Chandrasekaran
;
rnKevin Linderman
;
rnRoger Schroeder
会议名称:
《Semiconductor Technology(ISTC2008)》
|
2008年
关键词:
impedance spectroscopy;
bistable switching;
equivalent circuit;
71.
ESD PROTECTION DESIGN FOR RF CIRCUITS IN CMOS TECHNOLOGY WITH LOW-C IMPLEMENTATION
机译:
CMOS技术中具有低C实现的RF电路的ESD保护设计
作者:
Jinsong GAO
;
rnPingying ZHANG
会议名称:
《Semiconductor Technology(ISTC2008)》
|
2008年
关键词:
Electrostatic discharge (ESD);
ESD protection;
low capacitance (low-C);
radio-frequency (RF);
silicon-controlled rectifier (SCR);
72.
HIGH VOLTAGE P-CHANNEL MOSFET FOR RF APPLICATIONS
机译:
射频应用高压P沟道MOSFET
作者:
U-Hsing Shih
;
rnChian-Pei Yang
;
rnTse-Yun Chou
会议名称:
《Semiconductor Technology(ISTC2008)》
|
2008年
关键词:
Guard ring;
High Voltage;
P-channel;
Power;
MOSFET;
73.
A NEW ANALYTICAL SUBTHRESHOLD BEHAVIOR MODEL FOR ASYMMETRICAL DUAL MATERIAL DOUBLE-GATE (ADMDG) MOSFET'S
机译:
非对称双材料双栅极(ADMDG)MOSFET的新亚阈值分析模型
作者:
Priya Nambisan
会议名称:
《Semiconductor Technology(ISTC2008)》
|
2008年
关键词:
Threshold voltage;
Two-dimensional Poisson's equation;
Subthreshold swing;
Subthreshold cirrent;
Drain-induced Barrier Lowering;
Short-channel effects;
Hot carrier effect;
74.
RELIABILITY ENHANCEMENT IN ADVANCED MOSFETS USING THE U-SHAPE STI STRUCTURE FOR RADIATION APPICATION
机译:
使用U形钢结构增强先进MOSFET的辐射可靠性
作者:
Rohaizat Baharun
会议名称:
《Semiconductor Technology(ISTC2008)》
|
2008年
关键词:
total ionizing dose;
MOSFETs;
STI;
harden;
75.
OBJECT-BASED MASK SYNTHESIS ALGORITHM USING INVERSE LITHOGRAPHY TECHNIQUE FOR 65NM-NODE TECHNOLOGY
机译:
基于反光刻技术的65NM节点技术基于对象的面具综合算法
作者:
Jochen Nierentz
会议名称:
《Semiconductor Technology(ISTC2008)》
|
2008年
关键词:
ILT;
RET;
mask;
simulated annealing;
76.
ADAPTABLE OPC FOR DOUBLE PATTERNING TECHNOLOGY
机译:
适用于双图案技术的自适应OPC
作者:
Wally Stevens
会议名称:
《Semiconductor Technology(ISTC2008)》
|
2008年
关键词:
Double Patterning;
Decomposition;
Cut;
Reuse;
Optical Proximity Correction (OPC);
Ad-OPC;
77.
NEW METHOD ON UNIFORMITY TUNING OF Ta(N) BARRIER LAYER
机译:
Ta(N)阻挡层均匀性调整的新方法
作者:
Lahsen Ababouch
会议名称:
《Semiconductor Technology(ISTC2008)》
|
2008年
关键词:
Barrier and Seed process;
EnCoReTM II;
punchthru;
78.
CARBON NANOTUBE FOR HIGH PERFORMANCE FLEXIBLE ELECTRONICS
机译:
高性能柔性电子用碳纳米管
作者:
HE Feng
;
rnLI Xianglin
;
rnWAN Liqiang
;
rnJIA Yaxiong
;
rnHE Dan
会议名称:
《Semiconductor Technology(ISTC2008)》
|
2008年
关键词:
carbon nanotube;
flexible electronics;
thin-film transistors;
79.
A HIGHLY EFFECTIVE SHALLOW TRENCH ISOLATION GAP-FILL (STI GAP-FILL) TECHNOLOGY USING H2-ETCH ENHANCED HDP-CVD PROCESS FOR 90nm FLASH
机译:
一种高效的浅沟槽隔离间隙填充(STI间隙填充)技术,该技术使用H2蚀刻增强的HDP-CVD工艺处理90nm闪存
作者:
Melanie Siggs
会议名称:
《Semiconductor Technology(ISTC2008)》
|
2008年
关键词:
STI Gap-Fill;
H2-etch Enhanced HDP-CVD;
Electrical Characteristics;
Manufacturability;
90nm Flash Technology;
80.
INVESTIGATION OF IMPACT FROM HDP PROCESS ON DEVICE PERFORMANCE
机译:
HDP过程对设备性能的影响调查
作者:
David Smallbone
;
rnJianzhong XIAO
会议名称:
《Semiconductor Technology(ISTC2008)》
|
2008年
关键词:
Shallow trench isolation;
strain;
high density plasma;
active area;
81.
THE INDUCED EFFECT IN THE PT/BFO/BNDT/PT CAPACITORS FOR THE APPLICATION IN FERAM
机译:
PT / BFO / BNDT / PT电容器在FERAM中的应用诱导效应
作者:
Yaxiong Jia
;
rnXianglin Li
;
rnLiqiang Wan
;
rnFeng He
会议名称:
《Semiconductor Technology(ISTC2008)》
|
2008年
关键词:
FeRAM;
ferroelectric capacitor;
BFO;
BNdT;
multilayer;
82.
THE EFFECT OF POST-METALLIZATION ANNEALING ON THE RELIABILITY OF COPPER INTERCONNECTS
机译:
后金属化退火对铜互连可靠性的影响
作者:
Werner Fees
;
rnMatthias Lankau
会议名称:
《Semiconductor Technology(ISTC2008)》
|
2008年
关键词:
Copper;
Electromigration;
Stress Migration;
83.
ELECTRICAL RESISTIVE SWITCHING IN ORGANIC MOLECULES AND HIGH-K DIELECTRIC BI-LAYER FILMS
机译:
分子和高K介电双层膜中的电阻开关
作者:
Liang Jin
;
rnChang Wang
;
rnGuoliang Chen
;
rnYin Zhao
;
rnXiangwei Sun
;
rnXiaojuan Wang
会议名称:
《Semiconductor Technology(ISTC2008)》
|
2008年
关键词:
molecular electronics;
crossbar;
eicosanic acid;
high-k;
84.
DEVELOPING A SINGLE DISPERSION FOR CMP OF COPPER AND BARRIER LAYERS
机译:
为铜和阻挡层的CMP开发单一色散
作者:
S.A hmad
;
rnC.A.Call
会议名称:
《Semiconductor Technology(ISTC2008)》
|
2008年
关键词:
Planarization;
Metal CMP;
85.
SIMULATION STUDY ON GATE-ALL-AROUND CYLINDRICAL (GAAC) TRANSISTOR FOR SUB-10 NANOMETER SCALING
机译:
小于10纳米尺度的全栅圆形(GAAC)晶体管的仿真研究
作者:
Raf Sluismans
;
rnFriso den Hertog
;
rnTinne Lommelen
;
rnPaul Kunst
会议名称:
《Semiconductor Technology(ISTC2008)》
|
2008年
关键词:
Gate-all-around cylindrical (GAAC) transistor;
Device physics;
TCAD Simulation;
Fabrication procedure;
86.
MECHANISM STUDY OF HOT CARRIER INDUCED DEGRADATION IN LDMOSFET
机译:
LDMOSFET热载流子引起的降解机理研究
作者:
Guillermo Cardoza
;
rnGaston Fomes
会议名称:
《Semiconductor Technology(ISTC2008)》
|
2008年
关键词:
LDMOS;
HCI;
interface state;
charge pumping.;
87.
NOVEL SILICON MEMS FABRICATION PROCESSES INCLUDING ANODIC BONDING OF EXTREMELY THIN (60 μm -THICK) SILICON FILM ON GLASS SUBSTRATE
机译:
新型硅MEMS制造工艺,包括在玻璃基板上阳极氧化超薄(60μm厚)硅膜的工艺
作者:
P.L.Ford
会议名称:
《》
|
2008年
关键词:
MEMS;
Sensor;
Silicon films;
Anodic bonding.;
88.
NOVEL CU ALLOY SEED LAYERS FOR BARRIERLESS METALLIZATION
机译:
用于无障碍金属化的新型铜合金种子层
作者:
M.H.Friedel
会议名称:
《Semiconductor Technology(ISTC2008)》
|
2008年
关键词:
Cu seed layer;
barrier-free metallization;
leakage current;
89.
A NEW CERIA-BASED ILD CMP SLURRY
机译:
一种基于Ceria的新型ILD CMP浆液
作者:
S.Houshmand Moayed
;
rnM.Mesdaghi
;
rnH.R.Sadeghipour
会议名称:
《Semiconductor Technology(ISTC2008)》
|
2008年
关键词:
Ceria;
ILD;
CMP;
Slurry;
Defectivity;
Cost of Consumables (CoC);
Cost of Ownership (CoO);
90.
A TECHNICAL APPROACH OF HIGH REMOVAL RATE COPPER SLURRY FOR 3D-IC AND MEMS
机译:
用于3D-IC和MEMS的高去除率铜浆的技术方法
作者:
A gnusdei M.G.
;
rnM.R.Colabelli
会议名称:
《Semiconductor Technology(ISTC2008)》
|
2008年
关键词:
CMP;
Copper;
SiP;
Planarization;
Inhibitor;
Polishing;
MEMS;
interposer;
91.
ADVANCES AND CHALLENGES IN POST SALICIDATION CLEANS FOR 45NM TECHNOLOGY NODE AND BEYOND
机译:
45NM技术节点和之后的准认证后的进展和挑战
作者:
Zhou Deqing
会议名称:
《Semiconductor Technology(ISTC2008)》
|
2008年
92.
AN ANALYSIS OF THE BALL TYPE DEFECT FORMATION MECHANISM IN ENCORE TA PROCESS
机译:
TA过程中球型缺陷形成机理的分析
作者:
Chen Lansun
会议名称:
《Semiconductor Technology(ISTC2008)》
|
2008年
关键词:
Ta ball;
type defect;
93.
DIFFUSION FURNACE DOPANT ACTIVATION MATCHING THROUGH A RAMPED TEMPERATURE IDLE
机译:
通过陡峭的温度空转进行扩散炉掺杂剂的活化
作者:
Andrew Mallison
会议名称:
《Semiconductor Technology(ISTC2008)》
|
2008年
94.
A METROLOGY OF SEMICONDUCTOR BEOL NANOTECHNOLOGY LITHOGRAPHY AND GAP FILL PROCESSES INTEGRATION
机译:
半导体Beol纳米技术光刻技术与间隙填充工艺的集成
作者:
Linda Chaves
会议名称:
《Semiconductor Technology(ISTC2008)》
|
2008年
关键词:
BEOL;
Process Integration;
Lithography;
Gap-Fill;
Semiconductor;
95.
NOVEL APPROACH FOR A NEW POST ETCH/ASH RESIDUE REMOVAL
机译:
新方法去除新的蚀刻/灰渣
作者:
Manfred Klinkhardt
;
rnBjorn Myrseth
会议名称:
《Semiconductor Technology(ISTC2008)》
|
2008年
关键词:
post etch/ash;
low temperature;
stripper;
96.
METHOD FOR IN-SITU MEASURING EVEN ABERRATIONS OF PROJECTION OPTICS IN LITHOGRAPHIC TOOLS BY USE OF OPTIMIZED PHASE-SHIFTING MARKS
机译:
优化移相标记原位测量光刻工具中投射光学异常的方法
作者:
Li Jianhua
会议名称:
《Semiconductor Technology(ISTC2008)》
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2008年
关键词:
Lithographic tools;
Projection optics;
spherical aberration;
astigmatism;
Zernike coefficients;
97.
STUDY OF PATTERN TRANSFER QUALITY FOR NANOSCALE LITHOGRAPHY
机译:
纳米光刻技术的图案转移质量研究
作者:
Kjersti Gravningen
会议名称:
《Semiconductor Technology(ISTC2008)》
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2008年
关键词:
Mask Error-Enhancement Factor (MEEF);
Exposure Latitude (EL);
Process Window (PW);
98.
IMPACT OF PATTERN DEPENDENT PHOTOACID DIFFUSION TO THE PROCESS WINDOW UNDER LOW Kl CONDITIONS
机译:
低Kl条件下模式依赖的光酸扩散对过程窗口的影响
作者:
Ichiro Nomura
会议名称:
《Semiconductor Technology(ISTC2008)》
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2008年
99.
NOVEL DEVELOPER-SOLUBLE ANTI-REFLECTIVE COATINGS FOR 248-NM LITHOGRAPHY
机译:
适用于248-NM光刻的新型显影剂可溶解的抗反射涂层
会议名称:
《Semiconductor Technology(ISTC2008)》
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2008年
关键词:
248 nm;
anisotropic;
photosensitive;
developer-soluble;
bottom anti-reflective coatings (BARCs);
100.
CHARACTERIZATION OF ZnO-DOPED Zr0.8Sn0.2TiO4 DIELECTRIC THIN FILMS BY SOL-GEL METHOD
机译:
溶胶-凝胶法表征掺杂ZnO的Zr0.8Sn0.2TiO4介电薄膜
作者:
Wu Hougang
会议名称:
《Semiconductor Technology(ISTC2008)》
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2008年
关键词:
Sol-gel method;
Zr0.8Sn0.2TiO4;
dielectric thin film;
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