机译:基于深反应离子刻蚀的硅高级刻蚀,用于硅高纵横比微结构和三维微纳结构
机译:深度反应离子蚀刻参数对具有高纵横比极深硅蚀刻工艺蚀刻速率和表面形态的影响:
机译:使用时分多路反应离子刻蚀技术对硅进行高深宽比的微加工和纳米加工
机译:使用时间复用蚀刻钝化过程的高纵横比SiC微结构的深反应离子蚀刻(Drie)
机译:用于芯片堆叠应用中通孔形成的深反应离子刻蚀(DRIE)的特性。
机译:通过深反应离子蚀刻制造高纵横比硅光栅
机译:一种利用深反应离子刻蚀(DRIE)和对准晶圆键合实现集成惯性传感器的工艺技术
机译:采用时间复用蚀刻 - 钝化工艺的高纵横比siC微结构深反应离子刻蚀(DRIE)