基于底部源极金属氧化物半导体场效应管的真实芯片级封装功率金属氧化物半导体场效应管

摘要

一种半导体封装可以包含一个半导体衬底、一个带有形成在衬底上的多个单元的金属氧化物半导体场效应管器件、以及一个和设置在衬底底面上的所有单元共用的源极区。每个单元包含一个在半导体器件顶面上的漏极区、一个用于控制源极和漏极区之间电流流量的栅极、一个邻近栅极的源极接触点，以及源极接触点和源极区之间的电接触。至少一个漏极接触点电耦合到漏极区域上。源极、漏极和栅极垫分别电连接到器件的源极区、漏极区和栅极。漏极、源极和栅极垫形成在半导体封装的一个表面上。单元通过衬底分布，因此每个器件的源极接触点和源极区之间的电连接分布也通过衬底。本发明允许在晶片等级上进行处理，降低成本和缩小独立器件的尺度，并使接触点遍及晶粒，降低电子干扰和阻抗。