高功率微波作用下金属氧化物半导体场效应管响应

摘要

采用基于半导体漂移扩散模型的数值模拟软件对高功率微波(HPM)作用下金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)的响应进行了数值模拟研究.对MOSFET在HPM作用下的输出特性以及器件内部响应进行了数值模拟.计算结果表明,在MOSFET栅极加载HPM后,随着注入HPM幅值的增大,会使得器件的正向电压小于开启电压,从而使得输出电流的波形发生形变.在器件内部,导电沟道靠近源极一端的电场强度最大,热量产生集中在这一区域.在脉冲正半周期时,温度峰值位于沟道源极一端,负半周期时,器件内部几乎没有电流,器件内的温度峰值在热扩散效应的影响下趋向于导电沟道中部.