具有公共位线结构的非易失性存储器件

摘要

本发明提供了一种具有公共位线结构的非易失性存储器件，其包括具有NAND单元阵列结构的多个单位元件，其布置在多个存储串的每个中且每个单位元件包括控制栅极和电荷存储层。多条公共位线每条公共连接到存储串中一对存储串的每个的端部。设置了具有第一驱动电压的第一选择晶体管和与第一选择晶体管串联并具有小于第一驱动电压的第二驱动电压的多个第二选择晶体管。第一和第二选择晶体管布置在公共位线与存储串的单位元件之间。第一串选择线连接到一对存储串的第一存储串的第一和第二选择晶体管之一。第二串选择线连接到一对存储串的第二存储串的第一和第二选择晶体管之一。多条字线连接到具有NAND单元阵列结构且布置在相同行中的单位元件的控制栅极。