具有分级位线结构的半导体存储器件

摘要

一种半导体存储器包含半导体衬底(10)、许多子位线对(、^SBL11-SBL44、SBL44)、在子位线对之上的层上形成的主位线对(MBL1、MBL1)许多选择晶体管、与子位线对交叉的许多字线和许多存储单元。每个选择晶体管相应于一条子位线并具有与其连接的源/漏区(24)。在选择晶体管另一源/漏区(22)之上并与存储单元的存储节点(34)同层形成过渡层(32、44、48、52、56)。过渡层通过其下面的接触孔道(30)与选择晶体管的另一源/漏区连接。过渡层进一步通过在其上面的另一条接触孔道(36)与该主位线连接。