公开/公告号CN101515568A
专利类型发明专利
公开/公告日2009-08-26
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院半导体研究所;
申请/专利号CN200810057889.1
申请日2008-02-20
分类号H01L21/8232;
代理机构中科专利商标代理有限责任公司;
代理人周国城
地址 100083 北京市海淀区清华东路甲35号
入库时间 2023-12-17 22:31:46
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2011-05-25
发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L21/8232 公开日:20090826 申请日:20080220
发明专利申请公布后的视为撤回
2009-10-21
实质审查的生效
实质审查的生效
2009-08-26
公开
公开
机译: HBT,耗尽型HEMT和增强型HEMT的单片集成的结构和方法
机译: MIS晶体管结构-可以是增强型或耗尽型,并沉积在半导体衬底上
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