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【2h】

200 V Enhancement-Mode p-GaN HEMTs Fabricated on 200 mm GaN-on-SOI With Trench Isolation for Monolithic Integration

机译：200毫米增强型P-GaN Hemts在200毫米GAN-ON-SOI上制造，具有用于单片集成的沟槽隔离

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Xiangdong Li; Marleen Van Hove; Ming Zhao; Karen Geens; Vesa-Pekka Lempinen; Jaakko Sormunen; Guido Groeseneken; Stefaan Decoutere;
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年度 2017
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