改进的部分耗尽绝缘体上硅静态随机存储器存储单元

摘要

本发明一种改进的形成于部分耗尽SOI衬底上的静态随机存储器的存储单元，涉及静态随机存储器技术，该SRAM单元包含六只晶体管，即第一、第二存取NMOS晶体管，第一、第二驱动NMOS晶体管，第一、第二负载PMOS晶体管。在进行体区接触处理时，不再采用T型栅技术，存取NMOS管采用H型栅体接触，负载PMOS管和驱动NMOS采用BTS－A型栅体接触。这样不仅能避免部分耗尽SOI材料带来的浮体效应，而且可以抑制由于T型栅结构引起的岛边漏电。单元中两组反相器的连线在单元中部进行，布线得到简化，单元面积缩小。本发明的存储单元提升了芯片的最终性能。