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王硕; 常永伟; 陈静; 王本艳; 何伟伟; 葛浩;
中国科学院上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料国家重点实验室 上海 200050;
中国科学院大学 材料与光电研究中心 北京 100049;
静态随机存储器单元; 总剂量辐射效应; 绝缘体上硅; 体接触;
机译:总剂量辐照导致部分耗尽的绝缘体上硅NMOSFET的磁滞效应降低
机译:绝缘体上硅pMOSFET的反向晶体管的总剂量辐射和退火响应
机译:氮注入埋入式氧化物改性商业化绝缘体上硅材料的总剂量辐射响应
机译:完全耗尽的绝缘体上硅NMOSFET的总剂量辐射响应的复杂性
机译:用于绝缘体上硅波导中偏振控制的应力工程及其在新型无源偏振分离器/滤波器中的应用。
机译:基于绝缘体上硅的高度pH敏感的纳米线场效应晶体管
机译:绝缘体上硅 - 绝缘体PMOSFET的后晶体管的总剂量辐射和退火响应
机译:绝缘体上硅(sOI)金属氧化物半导体场效应晶体管(mOsFET's)的总剂量响应
机译:绝缘体上硅场效应晶体管以及保护绝缘体上硅免受静电放电的方法
机译:在绝缘体上硅(SOI)晶片上形成具有嵌入式和多面源/漏应力源的平面场效应晶体管的方法,平面场效应晶体管结构和用于该平面场效应晶体管的设计结构
机译:在绝缘体上硅(S0I)晶片上形成具有嵌入式和多面源/漏应力源的平面场效应晶体管的方法,平面场效应晶体管结构和用于该平面场效应晶体管的设计结构
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