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以高源和低轰击等离子体提供高蚀刻速率的电介质蚀刻方法

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摘要

本发明公开了一种以高源和低轰击等离子体提供高蚀刻速率的电介质蚀刻方法。在至少某些实施例中，本发明是一种等离子体蚀刻方法，包括施加包含CF

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2011-03-23

发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L21/311 公开日:20090121 申请日:20051205

发明专利申请公布后的视为撤回
2009-03-11

实质审查的生效

实质审查的生效
2009-01-21

公开

公开

1. 以高源和低轰击等离子体提供高蚀刻速率的电介质蚀刻方法 [P] . 中国专利： CN101350303A . 2009-01-21
2. 以高源和低轰击等离子体提供高蚀刻速率的电介质蚀刻方法 [P] . 中国专利： CN1828843A . 2006-09-06
3. DIELECTRIC ETCH METHOD WITH HIGH SOURCE AND LOW BOMBARDMENT PLASMA PROVIDING HIGH ETCH RATES [P] . SG122943A1 . 2006-06-29

机译：提供高蚀刻速率的高源低轰击等离子体介电蚀刻方法
4. DIELECTRIC ETCH METHOD WITH HIGH SOURCE AND LOW BOMBARDMENT PLASMA PROVIDING HIGH ETCH RATES [P] . 韩国专利： KR20060063714A . 2006-06-12

机译：提供高蚀刻速率的高源低轰击等离子体介电蚀刻方法
5. Dielectric etch method with high source and low bombardment plasma providing high etch rates [P] . 美国专利： US2006118519A1 . 2006-06-08

机译：高源低轰击等离子体的介电刻蚀方法，可提供高刻蚀速率