机译:具有磁化电感耦合等离子体源的高蚀刻速率离子束蚀刻器的特性
Plasma Lab. Inter-university Semiconductor Research Center Department of Electrical and Computer Engineering Seoul Natl. University Seoul 151-742 Republic of Korea;
Graduate school of Management of Technology Hoseo University Asan 336-795 Republic of Korea;
Plasma Lab. Inter-university Semiconductor Research Center Department of Electrical and Computer Engineering Seoul Natl. University Seoul 151-742 Republic of Korea;
Plasma Lab. Inter-university Semiconductor Research Center Department of Electrical and Computer Engineering Seoul Natl. University Seoul 151-742 Republic of Korea;
ion beam etcher; ion energy distribution; etch rate; magnetized inductively coupled plasma; plasma density;
机译:具有磁化电感耦合等离子体源的高蚀刻速率离子束蚀刻器的特性
机译:基于感应耦合等离子体刻蚀机和硅蚀刻的200毫米直径中性束源
机译:开发用于最大掩模蚀刻的过程配方和具有垂直侧壁的最大蚀刻速率,用于深度,高度各向异性电感耦合等离子体(ICP)蚀刻熔融二氧化硅的蚀刻
机译:利用电感耦合的Cl_2 / HBr和Cl_2 / Ar等离子体对Gan的蚀刻特性
机译:用于电子材料蚀刻的高密度电子回旋共振和感应耦合等离子体源的比较:电子材料的新等离子体蚀刻方案。
机译:通过电感耦合等离子体(ICP)和器件特性优化准垂直GaN肖特基势垒二极管(SBD)的台面蚀刻
机译:具有传统电感耦合等离子体(ICP)蚀刻器的深硅蚀刻工艺的开发
机译:电感耦合等离子体反应器中离子能量分布函数的模型蚀刻剖面;应用物理学报