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氮化镓; 含氯气体; 激光二极管; GaN; 蚀刻; 电感耦合; Cl2/BCl3; 等离子体; 特性;
机译:在BCl3 / Cl2电感耦合等离子体中快速平滑地蚀刻铟锡氧化物
机译:工艺压力和气体成分对基于Cl2 / BCl3的电感耦合等离子体中GaAs刻蚀特性影响的实验研究
机译:工艺压力和气体组成对基于Cl2 / BCl3的电感耦合等离子体中GaAs刻蚀特性影响的实验研究
机译:使用电感耦合CL2等离子体蚀刻蚀刻GaN的特征
机译:砷化镓背面通过芯片通孔集成,使用电感耦合等离子体蚀刻。
机译:通过电感耦合等离子体(ICP)和器件特性优化准垂直GaN肖特基势垒二极管(SBD)的台面蚀刻
机译:通过在Cl2 / BCl3电感耦合等离子体中添加气体来干蚀刻ITO薄膜
机译:在BCl3 / ar和Cl2 / ar中的III-V锑化物的电感耦合等离子体蚀刻;真空科学与技术杂志
机译:用于电感耦合等离子体质谱仪的等离子体锥,电感耦合等离子体质谱仪以及制造用于电感耦合等离子体质谱仪的等离子体锥的方法
机译:电感耦合等离子体质量分析仪的等离子锥,电感耦合等离子体质量分析仪以及等离子耦合电感质量分析仪的制造方法
机译:电感耦合等离子体蚀刻装置和等离子体生成机构
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