以高源和低轰击等离子体提供高蚀刻速率的电介质蚀刻方法

摘要

在至少某些实施例中，本发明是一种等离子体蚀刻方法，包括施加包含CF4、N2和Ar的气体混合物，并形成高密度和低轰击能量的等离子体。高密度和低轰击能量的等离子体是通过使用高源和低偏压功率设置而形成的。气体混合物还可包括H2、NH3、碳氟氢化合物气体和/或碳氟化合物气体。碳氟氢化合物气体可包括CH2F2、CH3F；和/或CHF3。碳氟化合物气体可包括C4F8、C4F6和/或C5F8。