屏蔽栅极沟槽技术中基于电阻来测定蚀刻深度

摘要

本发明公开了一种测定蚀刻深度的方法，一种形成屏蔽栅极沟槽(SGT)结构的方法和一种半导体装置晶圆。在具有沟槽的底层的一部分上形成材料层。用材料填充所述的沟槽。在材料层的测试区域上放置抗蚀性涂层，从而定义位于抗蚀性涂层之下的测试结构。抗蚀性涂层不覆盖沟槽。同向蚀刻材料，测量与测试结构电阻改变有关的信号。通过信号测定测试结构的横向底切DL，通过DL测定蚀刻深度DT。晶圆包括形成电桥的一个或多个测试结构。穿过连接洞的一个或多个金属连接线电连接所述的测试结构。所述的抗蚀性涂层在测试结构之上。