公开/公告号CN101271856B
专利类型发明专利
公开/公告日2011-02-23
原文格式PDF
申请/专利权人 万国半导体股份有限公司;
申请/专利号CN200810086659.8
申请日2008-03-21
分类号H01L21/66(20060101);H01L21/306(20060101);H01L21/336(20060101);H01L29/78(20060101);H01L23/544(20060101);
代理机构31213 上海新天专利代理有限公司;
代理人王敏杰
地址 百慕大哈密尔敦维多利亚街22号佳能院
入库时间 2022-08-23 09:05:59
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-01-03
专利权质押合同登记的生效 IPC(主分类):H01L 21/66 登记号:Y2019500000007 登记生效日:20191210 出质人:重庆万国半导体科技有限公司 质权人:国家开发银行重庆市分行 发明名称:测定蚀刻深度及形成屏蔽栅极沟槽及MOSFET晶圆 授权公告日:20110223 申请日:20080321
专利权质押合同登记的生效、变更及注销
2016-10-26
专利权的转移 IPC(主分类):H01L21/66 登记生效日:20160930 变更前: 变更后: 申请日:20080321
专利申请权、专利权的转移
2016-10-26
专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/66 登记生效日:20160930 变更前: 变更后: 申请日:20080321
专利申请权、专利权的转移
2011-02-23
授权
授权
2011-02-23
授权
授权
2008-11-19
实质审查的生效
实质审查的生效
2008-11-19
实质审查的生效
实质审查的生效
2008-09-24
公开
公开
2008-09-24
公开
公开
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机译: 形成半导体器件的方法例如MOSFET涉及对蚀刻的掩埋电介质层进行掩膜处理,以部分暴露半导体晶圆的背面,该背面与晶圆堆栈中的主水平面相反
机译: 在顶部添加ESD保护模块的同时防止晶圆加工中沟槽MOSFET的栅极氧化物损坏的方法
机译: 在顶部添加ESD保护模块的同时防止晶圆加工中沟槽MOSFET的栅极氧化物损坏的方法