适用于自动对准金属硅化物工艺的二极管

摘要

本发明可利用提供一种适用于自对准金属硅化物工艺的二极管结构来完成。二极管结构包括:一第一型半导体层、一第二型扩散区、一第二型掺杂区、以及一金属硅化层。第二型扩散区是设置于半导体层内,而第二型掺杂区则设置于半导体层内、环绕第二型扩散区边缘,金属硅化层则设置于第二型扩散区上。其中,第二型掺杂区具有较第二型扩散区低的掺杂浓度,以提供镇流电阻。