微波肖特基势垒二极管硅化物工艺技术研究

摘要

对微波肖特基中、低势垒二极管硅化物的工艺技术进行了研究。用Ｎｉ－Ｓｉ硅化物作中势垒硅化物， 用Ｔｉ－Ｓｉ硅化物作低势垒硅化物。通过设计和工艺实验， 得到温度、时间、真空度等最佳工艺技术条件。在保持微波肖特基二极管势垒特征的同时， 提高了反向电压，