槽栅IGBT硅化物自对准技术研究

摘要

本文设计了一种全自对准的槽栅IGBT(绝缘栅双极晶体管)结构,其工艺简单,全套工艺只有两张光刻版,是现有IGBT工艺中最少的,而且两次光刻之间没有套刻关系,避免了套刻误差 ,提高了工艺成品率.同时,降低了制版费用和制造成本.设计了一种独特的IGBT多重沟道短路结构,有效的防止闩锁.用氧化层硬掩膜和先进的硅化物工艺实现金属接触全自对准, 可使元包尺寸减小到2 μm甚至更小,增加了IGBT芯片单位面积的元包密度和沟道宽度,提高了电流,使器件导通电阻低于0.23 mΩ/cm2.用砷(As)掺杂代替磷(P),可有效提高源区表面浓度,实现浅结工艺.