公开/公告号CN100442541C
专利类型发明授权
公开/公告日2008-12-10
原文格式PDF
申请/专利权人 华邦电子股份有限公司;
申请/专利号CN01110109.1
发明设计人 俞大立;
申请日2001-03-23
分类号
代理机构北京纪凯知识产权代理有限公司;
代理人程伟
地址 中国台湾
入库时间 2022-08-23 09:01:37
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2010-08-04
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 29/861 授权公告日:20081210 申请日:20010323
专利权的终止
2008-12-10
授权
授权
2003-01-22
实质审查的生效
实质审查的生效
2002-10-30
公开
公开
2001-08-08
实质审查请求的生效
实质审查请求的生效
机译: 金属自对准硅化物-CMP-金属自对准硅化物半导体工艺
机译: 自对准多晶硅化物工艺,利用平坦化的材料层将多晶硅结构暴露于随后沉积的金属层,该金属层反应形成金属硅化物
机译: 自对准硅化物工艺以及使用该自对准硅化物工艺制造半导体器件的方法