自对准硅化物工艺研究

摘要

对适用于深亚微米CMOS器件的各种自对准硅化物工艺进行了讨论,并对不同硅化物薄膜的特性进行了分析。结果表明,随着大规模集成电路特征尺寸的不断缩减及其对器件性能要求的不断提高,常规Ti和Co的自对准硅化物工艺已经不能满足器件特征尺寸进一步缩小的需要;Ni的自对准硅化物工艺可以很好地满足超深亚微米及纳米器件对硅化物的需求。