公开/公告号CN1354528A
专利类型发明专利
公开/公告日2002-06-19
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院半导体研究所;
申请/专利号CN00132745.3
申请日2000-11-16
分类号H01L33/00;H01S5/323;
代理机构11021 中科专利商标代理有限责任公司;
代理人汤保平
地址 100083 北京市912信箱
入库时间 2023-12-17 14:23:40
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2007-01-17
专利权的终止未缴年费专利权终止
专利权的终止未缴年费专利权终止
2004-04-21
授权
授权
2002-06-19
公开
公开
2001-03-07
实质审查请求的生效
实质审查请求的生效
机译: 第三族氮化物半导体发光器件的制造方法,第三族氮化物半导体发光器件的制造方法,第三族氮化物半导体发光器件和灯
机译: 第三族氮化物半导体发光层的制造方法,第三族氮化物半导体发光器件的制造方法,第三族氮化物半导体发光器件和灯
机译: 形成第三族氮化物半导体的方法,制造半导体器件的方法,第三族氮化物半导体器件的方法,进行热处理的方法