声明
摘要
图目录
表目录
主要符号表
1 绪论
1.1 研究的背景与意义
1.2 GaN的基本性质
1.2.1 GaN的晶体结构
1.2.2 GaN的能带结构
1.2.3 GaN的物理性质
1.2.4 GaN的化学性质
1.3 三族氮化物的极化和极化效应
1.3.1 三族氮化物的自发极化
1.3.2 三族氮化物的压电极化
1.4 三族氮化物极化工程的国内外研究进展
1.4.1 三族氮化物极化调控工程的国内外研究进展
1.4.2 三族氮化物极化诱导工程的国内外研究进展
1.4.3 三族氮化物极化反转工程的国内外研究进展
1.5 本文主要研究思路与内容
2 三族氮化物薄膜和器件的外延方法、表征方法和理论仿真
2.1 引言
2.2 GaN的MOCVD生长原理
2.3 本论文使用的MOCVD系统介绍
2.3.1 Aixtron近耦合喷淋头式MOCVD系统简介
2.3.2 近耦合喷淋头式(CCS)反应室简介
2.4 本论文使用的薄膜和器件的表征方法
2.4.1 X射线衍射
2.4.2 光致发光谱
2.4.3 拉曼光谱
2.4.4 原子力显微镜
2.4.5 扫描电子显微镜
2.4.6 二次离子质谱
2.4.7 霍尔测试
2.4.8 其他表征方法
2.5 本论文使用的自洽求解一维薛定谔-泊松方程简介
2.5.1 理论模型
2.5.2 自洽求解的过程
2.6 本章小结
3 极化调控LED
3.1 引言
3.1.1 压电极化场对InGaN/GaN多量子阱的影响
3.1.2 InGaN单层生长面临的问题
3.2 Al2O3衬底和6H-SiC衬底上GaN外延层应力的研究
3.2.1 实验过程
3.2.2 衬底的不同对GaN应力类型与大小的影响
3.2.3 衬底的不同对GaN晶体质量的影响
3.2.4 衬底的不同对GaN表面形貌的影响
3.2.5 衬底的不同对GaN低温光学性质的影响及应力的计算
3.3 生长温度对InGaN单层的影响
3.3.1 实验过程
3.3.2 生长温度对InGaN铟组分及晶体质量的影响
3.3.3 生长温度对InGaN室温光学性质的影响
3.4 InGaN括入层对LED应变和极化场的影响
3.4.1 实验过程
3.4.2 InGaN插入层对外延层残余应力的影响
3.4.3 InGaN插入层对LED I-V特性的影响
3.4.4 InGaN插入层对InGaN/GaN多量子阱极化场的调控作用
3.5 本章小结
4 极化诱导隧穿器件
4.1 引言
4.1.1 量子隧穿的基本理论
4.1.2 AlGaN/GaN突变结极化电荷与隧穿的关系
4.2 极化诱导正向负阻器件
4.2.1 实验过程
4.2.2 极化诱导正向负阻器件的基本工作原理
4.2.3 极化诱导正向负阻器件的能带图和载流子分布
4.2.4 极化诱导正向负阻器件铝组分校准和表面形貌
4.2.5 极化诱导正向负阻器件的I-V特性
4.2.6 电处理对极化诱导正向负阻器件I-V特性的影响
4.3 极化诱导反向二极管
4.3.1 实验过程
4.3.2 极化诱导反向二极管的能带图和载流子分布
4.3.3 极化诱导反向二极管铝组分校准和表面形貌
4.3.4 极化诱导反向二极管的I-V特性
4.3.5 空穴补偿中心对极化诱导反向二极管I-V特性的影响
4.4 本章小结
5 极化反转LED
5.1 引言
5.2 极化反转对InGaN/GaN多量子阱性质的影响
5.2.1 实验过程
5.2.2 极化反转对InGaN/GaN多量子阱表面形貌的影响
5.2.3 极化反转对InGaN/GaN多量子阱界面质量的影响
5.2.4 极化反转对InGaN/GaN多量子阱发光性质的影响
5.3 p-GaN铟辅助生长
5.3.1 实验过程
5.3.2 铟辅助生长对p-GaN表面形貌的影响
5.3.3 铟辅助生长对p-GaN晶体质量的影响
5.3.4 铟辅助生长对p-GaN电学性质的影响
5.3.5 铟辅助生长对p-GaN影响的物理机制和模型
5.4 极化反转长波长PDLED的研究
5.4.1 实验过程
5.4.2 铟辅助生长p-GaN对PDLED多量子阱界面质量的影响
5.4.3 极化诱导隧穿结对PDLED正向导通电压的影响
5.4.4 极化反转对PDLED电致发光峰峰位的影响
5.4.5 极化反转黄光PDLED的电致发光
5.5 本章小结
6 结论与展望
6.1 结论
6.1.1 极化调控工程的结论
6.1.2 极化诱导工程的结论
6.1.3 极化反转工程的结论
6.2 创新点
6.3 展望
参考文献
攻读博士学位期间科研项目及科研成果
致谢
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