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【24h】

Fiscal Year 2011 Director's Strategic Initiative Final Report Heterogeneous Device Architectures Incorporating Nitride Semiconductors for Enhanced Functionality of Optoelectronic Devices.

机译：2011财年董事的战略计划最终报告采用氮化物半导体的异构器件架构，增强了光电器件的功能。

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Sampath, A. V.; Reed, M. L.; Gerhold, M.; Wraback, M.;
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年度 2014
页码 1-42
总页数 42
原文格式 PDF
正文语种 eng
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1. Growth of gallium nitride-based nitride semiconductors by PAMBE for development of optoelectronic and microelectronic devices. [D] . Rhee, Seunghun. 2003

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2. III-antimonide/nitride based semiconductors for optoelectronic materials and device studies : LDRD 26518 final report. [O] . Kurtz, Steven Ross, Hargett, Terry W., Serkland, Darwin Keith, 2003

机译：用于光电子材料和器件研究的III-锑化物/氮化物基半导体：LDRD 26518最终报告。

Fiscal Year 2011 Director's Strategic Initiative Final Report Heterogeneous Device Architectures Incorporating Nitride Semiconductors for Enhanced Functionality of Optoelectronic Devices.

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