化学汽相淀积反应器的压力平衡系统

摘要

用于平衡在闸门两侧的压力的系统,该闸门有选择地阻断将芯片处理室连通于反应器的工艺室的阀口,以便在位于工艺室中的半导体芯片上沉积晶膜层。该系统包括一种将工艺室连通于芯片处理室的旁路,以便当闸门阻断该阀口(该阀口将芯片处理室连通于反应器的工艺室)时在工艺室和芯片处理室之间输运气体来平衡在工艺室和芯片处理室之间的压力。该系统还包括一种选择性控制气流通过旁路的沿旁路上设置的旁通阀。另外,该系统包括沿着旁路设置的用于限制气体流过该旁路的限流器,以便限制在工艺室和芯片处理室中的压力变化速率。