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邓冬梅; 吴春瑜; 王金延; 文正; 郝一龙; 王阳元;
北京大学;
辽宁大学;
空穴陷阱; 电子陷阱; 光电导; 复合;
机译:金属有机化学气相沉积法在光滑氮极氮化镓模板上横向生长氮极氮化镓
机译:金属有机化学气相沉积法将N氮化镓转化为Ga极性氮化镓及其在多个量子阱发光二极管中的应用
机译:金属有机化学气相沉积法制备III族氮化物纳米线的汽-液-固生长及异质结构
机译:通过金属有机化学气相沉积在太阳能电池应用中的各种晶体取向中生长的氮化铟镓的研究
机译:金属有机化学气相沉积法在Ni(111)上高质量地生长六方氮化硼的晶片规模和选择性区域
机译:使用二叔丁基硅烷金属有机源对金属有机化学气相沉积生长的氮化镓进行Si掺杂
机译:镓弧蒸发系统氮化镓气相氮化物生长氮化镓的研究。
机译:通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)在多孔氮化镓(GaN)模板上生长氮化铟镓(InGaN)
机译:金属有机化学气相沉积法(MOCVD)在多孔氮化镓(GAN)模板上生长氮化铟镓(INGAN)
机译:通过金属有机化学气相沉积异质外延生长高质量N面氮化镓,氮化铟和氮化铝及其合金的方法
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