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戴永红;
PECVD; IC工艺; 等离子; 增强; 化学汽相淀积; 刻蚀;
机译:直流电弧等离子体喷射化学汽相淀积法制备高质量金刚石薄膜
机译:第三代薄雾化学汽相淀积制备导电锑掺杂氧化锡薄膜(SnO_x:Sb)的研究
机译:化学汽相淀积均匀生长单层MoS 2 Subscript>薄膜的大面积生长
机译:超大规模集成电路互连金属化的化学气相淀积层与化学沉积方法的比较
机译:等离子增强化学气相沉积(PECVD)系统的设计和实现,该系统用于研究碳60聚合物复合薄膜和表面功能化对碳60的影响
机译:等离子体增强化学气相沉积系统合成高c轴ZnO薄膜及其紫外光探测器的应用
机译:真空紫外直接激发型光化学汽相淀积法研究SIO2薄膜的低温生长
机译:使用Inline mW RpECVD(microWave远程等离子体增强化学气相沉积)系统进行连续siN(sub x)等离子体处理
机译:超短脉冲功率等离子体电源的等离子体化学汽相淀积系统
机译:等离子体化学汽相淀积系统和制备磁性记录介质的方法
机译:等离子体化学汽相淀积系统和制造硬碳膜的方法
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