化学液相淀积法制备氧化铝薄膜

摘要

无机氧化物薄膜在现代微电子学、固体电子学和光学工程中有广泛的应用.氧化物薄膜的制备已经成为凝聚态物理学的一个研究热点.传统制备氧化物薄膜的方法包括热氧化、化学汽相淀积、金属有机物化学汽相淀积、溶胶凝胶法等等.但是,这些方法大多要求非常复杂的实验设备,而且不容易操作.一种新的制备氧化物薄膜的方法——化学液相淀积(CLD)于1988年被Nagayama等人首次提出.它可以在更为简单的实验条件下制备氧化物薄膜,因此引起了人们的极大兴趣.但是,在全球范围内,化学液相淀积氧化铝薄膜尚未被研究过.在该文中,我们将报导制备氧化铝薄膜的CLD新方法.首先,我们先仔细研究了化学液相淀积氧化硅薄膜的过程(主要是参考Houng等人的工作).然后,通过一套包括浸在水浴装置中的聚四氟乙烯生长室的实验装置系统,我们完成了化学液相淀积氧化铝薄膜的实验过程.制备生长液所用的化学试剂包括Al<,2>(SO<,4>)<,3>·18H<,2>O、NaHCO<,3>和去离子水.这是一个无机盐水解和高温退火的过程.薄膜的质量用AFM、AES、EDS、XRD、FTIR等实验手段进行表征,结果显示制得的三氧化二铝薄膜表面均匀而平整,化学组份纯正(不含氢元素),而且属于高硬度的晶态超薄膜.

目录

文摘

英文文摘

第一章引言

第二章氧化硅薄膜的生长及表征

2.1化学液相淀积氧化硅薄膜的工艺

2.2理论讨论与实验表征

第三章氧化铝薄膜的生长及表征

3.1化学液相淀积氧化铝薄膜的工艺

3.2化学液相淀积氧化铝薄膜的理论

3.3化学液相淀积氧化铝薄膜的表征

第四章结论

致谢

参考文献