用于准确地转换非均匀厚度光刻胶层中的潜像的工艺

摘要

一种叠层型动态随即存取存储器器件,在内层绝缘层内形成有节点接孔,存储器电极通过节点接孔与存取晶体管的源极区保持接触,用光刻技术及蚀刻制作节点接孔及存储器电极,其中用于节点接孔(d0/d1)光刻胶掩膜的厚度与存储器电极的不同,其差值等于周期性周期的一半,所述周期性代表光刻胶的被感光特性,从而保持两图形间的互相嵌套。