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深沟槽工艺中光刻胶层的形成方法

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摘要

一种深沟槽工艺中光刻胶层的形成方法，包括：提供晶圆；在所述晶圆上采用旋涂工艺形成光刻胶层，同时采用去边溶剂去除晶圆边缘部分宽度的光刻胶层，所述光刻胶层的去除宽度为1.7~1.9毫米；对所述光刻胶层进行曝光和显影工艺形成图形化的光刻胶层。提高了光刻胶层边缘厚度和形貌的均匀性。

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2016-06-01

授权

授权
2014-07-30

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/312 申请日:20120523

实质审查的生效
2014-04-30

专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L 21/312 变更前: 变更后: 登记生效日:20140408 申请日:20120523

专利申请权、专利权的转移
2012-10-03

公开

公开

1. 深沟槽工艺中光刻胶层的形成方法 [P] . 中国专利： CN102709175B . 2016.06.01
2. 双栅极氧化层制作工艺中光刻胶层的重做工艺 [P] . 中国专利： CN101924029A . 2010-12-22
3. Mask for copying a pattern onto a photoresist layer, process for the production of this mask, and its use in a photolithographic process [P] . 欧洲知识产权局专利： EP0055303B1 . 1985-04-03

机译：用于将图案复制到光刻胶层上的掩模，该掩模的生产工艺及其在光刻工艺中的用途
4. Mask for copying a pattern onto a photoresist layer, process for the production of this mask, and its use in a photolithographic process [P] . 欧洲知识产权局专利： EP0055303A1 . 1982-07-07

机译：用于将图案复制到光刻胶层上的掩模，该掩模的生产工艺及其在光刻工艺中的用途
5. Growth of photoresist layer in photolithographic process [P] . 美国专利： US6682988B1 . 2004-01-27

机译：光刻工艺中光刻胶层的生长