用于垂直传输场效应晶体管的替换金属栅极工艺

摘要

一种形成半导体结构的方法，包括：形成设置在衬底的顶表面之上的多个鳍；以及使用替换金属栅极(RMG)工艺从该多个鳍形成一个或多个垂直传输场效应晶体管(VTFET)。围绕VTFET中的给定VTFET的至少一个鳍的栅极包括设置在栅极接触金属层之上的栅极自对准接触(SAC)帽盖层，栅极接触金属层被设置成与至少一个鳍的端部相邻。