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一种用于薄硅膜SOI栅氧可靠性评估的有源区多指测试结构

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摘要

本发明公开一种用于薄硅膜SOI栅氧可靠性评估的有源区多指测试结构，属于集成电路技术领域。所述用于薄硅膜SOI栅氧可靠性评估的有源区多指测试结构包括Si及覆盖在其表面的SiO

1. 一种用于薄硅膜SOI栅氧可靠性评估的有源区多指测试结构 [P] . 中国专利： CN111430332A . 2020-07-17
2. 一种薄硅层SOI基横向绝缘栅双极型晶体管 [P] . 中国专利： CN205508825U . 2016.08.24
3. METHOD MANUFACTURING OF THIN SOI DEVICES, CAPABLE OF OBTAINING THE UNIFORMITY OF A THIN SILICON FILM FOR MANUFACTURING ETSOI(EXTREMELY THIN SILICON ON INSULATOR) [P] . 韩国专利： KR20110066853A . 2011-06-17

机译：制备薄SOI设备的方法，能够获得制造ETSOI的薄硅膜的均匀性（绝缘体上的极薄硅）
4. Double gate transistors having at least two polysilicon patterns on a thin body used as active region and methods of forming the same [P] . 美国专利： US7557403B2 . 2009-07-07

机译：在作为有源区的薄体上具有至少两个多晶硅图案的双栅晶体管及其形成方法
5. One-time programmable memory device for integrated circuit, comprises floating gate formed over active area and isolation layer, inter-gate dielectric layer formed on floating gate, and control gate formed on inter-gate dielectric layer [P] . 德国专利： DE102004025974A1 . 2005-04-07

机译：一种用于集成电路的一次性可编程存储器件，包括：形成在有源区和隔离层上的浮栅;形成在浮栅上的栅间电介质层;以及形成在栅间电介质层上的控制栅