一种薄硅层SOI基横向绝缘栅双极型晶体管

摘要

本实用新型公开了一种薄硅层SOI基横向绝缘栅双极型晶体管，所述横向绝缘栅双极型晶体管以薄硅层SOI基作为衬底，采用浅槽隔离和阳极浮空缓冲区的设计结构。这种新型薄硅层SOI基横向绝缘栅双极型晶体管在保证器件较小的关断时间的前提下，可以消除器件导通时的负阻效应，提高器件的工作稳定性；此外，该器件采用的浅槽隔离和阳极浮空缓冲区的设计结构可以采用集成电路制造工艺的浅槽隔离工艺实现，并且这种设计还可以减小器件的横向尺寸，提高电流导通能力。