包含反转存储器堆叠结构的三维存储器装置及其制造方法

摘要

一种三维存储器装置包含：场效应晶体管，其位于衬底上；下部金属互连结构，其内嵌于第一电介质层中且位于所述衬底上方；源极线，其位于所述第一电介质层上方；阶梯式电介质材料部分，其位于所述第一电介质层上方且包含阶梯式表面；绝缘层和导电层的交替堆叠，其位于所述源极线上方且接触所述阶梯式电介质材料部分的所述阶梯式表面；以及存储器堆叠结构，其延伸穿过所述交替堆叠且包含存储器膜和竖直半导体通道。所述阶梯式电介质材料部分的横向范围随着距所述衬底的竖直距离逐步减小，且所述导电层的橫向范围随着距所述源极线的竖直距离而增加。