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集成电路装置、互连元件晶粒及集成晶片上系统制造方法

摘要

一种集成电路装置,例如一计算机系统,包括一互连元件晶粒及至少两个附加集成晶片上系统(System on Integrated Chip,SOIC)晶粒以面朝面(Face to Face,F2F)堆叠于该互连元件晶粒上。该互连元件晶粒包括在一表面上的电连接器,以致能连接到和/或多个附加SOIC晶粒之间。该互连元件晶粒包括是一集成扇出结构(Integrated Fan Out,InFO)的至少一重布电路结构及至少一硅穿孔(Through‑Silicon Via,TSV)。该TSV致能于一信号线、电源线或地线之间,从该互连元件晶粒的一相对表面至该重布电路结构和/或电连接器的连结。该附加SOIC晶粒的至少一个堆叠成面朝背(Face to Back,F2B)的一个三维集成电路(Three‑Dimensional Integrated Circuit,3DIC)晶粒。

著录项

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-06-30

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L25/18 申请日:20191128

    实质审查的生效

  • 2020-06-05

    公开

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